片外接电容的LDO内部还需要加MOS电容吗？

fumes · 发表于 2016-8-30 16:37:55

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MOS电容的栅端会通过PAD接到片外，会不会击穿管子？

math123 · 发表于 2016-8-30 16:53:09

这个mos电容的作用是什么，PAD直接连栅极有击穿的可能性，要具体分析

fumes · 发表于 2016-8-30 16:59:03

回复 2# math123

起一定的稳压作用，效果应该比片外电容好一些，因为串联寄生小，想在内部加一些是不是稳压效果更好

math123 · 发表于 2016-8-30 17:05:35

应该不用加，因为这个电容比起外部电容太小了

tomcarrot · 发表于 2016-8-30 17:09:14

片外电容是uF级的吧
片内是pF级差了6个数量级。。。。
面积多出来的就多吧

fumes · 发表于 2016-8-30 17:11:39

关键MOS电容会不会击穿？

whluosai · 发表于 2016-8-30 18:52:06

高频功耗最先从片内取电，片内电容ESR要小；其次从片外电容取电，ESR/ESL相对较大；闲着没事才用LDO放大器的UGB充电。

一路樱花飘 · 发表于 2016-8-30 21:57:37

你电容gate可以挂个esd电阻不

fumes · 发表于 2016-8-31 11:39:31

回复 8# 一路樱花飘

你是说在栅上串个电阻吗？

math123 · 发表于 2016-8-31 12:00:09

本帖最后由 math123 于 2016-8-31 12:03 编辑

一般的PAD连内部栅极最好加电阻

[求助] 片外接电容的LDO内部还需要加MOS电容吗？