求有经验的版图工程师解答

中英双字幕 · 发表于 2016-6-2 13:46:16

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最近画版图遇到一个问题，希望有经验的版图工程师帮忙解答一下。
是这样的，如下图所示，假设我要画一个NMOS管，一共4个finger，流过这个NMOS的电流是1mA，根据design rule查到金属的电流密度是1mA/um，所以我的金属宽度必须得是1um以上。我的想法是先用一层金属把源端连接起来，再把源端一起引出来。如图蓝色笔所示，那么请问蓝色笔画的这层金属也需要满足1um的宽度吗？即图中所示x必须要大于1um吗？

第二个问题是，当电流大到一定程度的时候对via的个数也是有要求的，假设1mA需要4个via，如图所示小正方形为via，一个源端有两个via和金属相连，三个源端一共有6个，要求的是4个via，这算是符合要求了吗？还是说4个via的意思是单个源端就得有4个via？

中英双字幕 · 发表于 2016-6-2 13:47:27

回复 1# 中英双字幕

中英双字幕 · 发表于 2016-6-2 15:34:59

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lilub1988 · 发表于 2016-6-2 16:07:10

VIA你这样画就够了，X那段线理论上只要0.5um宽就可以，但最后引出来的时候要至少1um。不过，如果不考虑其他的话，宽度多少还是留点余量。

azeee · 发表于 2016-6-2 16:11:42

两路相加嘛，如果匹配管，三个交回，你给1U除以三理论上就可以了。。

还有POLY上不推荐走线。

中英双字幕 · 发表于 2016-6-2 16:27:51

回复 4# lilub1988

为什么理论上只要0.5um啊，是所有的情况都只要0.5um还是这种情况？

中英双字幕 · 发表于 2016-6-2 18:20:38

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中英双字幕 · 发表于 2016-6-2 20:09:07

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xianwu_hs · 发表于 2016-6-3 13:45:15

拆分后电流就分成了三份流经拆分的管子，所以按照源漏的最小宽度就可以，但是最后三个源合流的时候就必须要满足1um的条件，并且考虑其他因素可以大于1um。
按照1mA要4个的话，那么0.5mA需要的是2个，而这里单个的必然是小于0.5mA的，这样画就可以满足最低要求，不过为了较小寄生参数和增强可靠性，可以尽可能多打几个孔。（ps：我们把金属和MOS源漏之间的连接叫做接触孔，金属和金属之间才叫通孔）
希望对你有帮助!

中英双字幕 · 发表于 2016-6-3 14:26:23

回复 9# xianwu_hs
我理解你说的源极合流之后金属线宽度要大于1um，但是我不理解的是我用一层金属把源极连接起来，我觉得在这层金属中间的某一点应该就已经合流了吧，刚开始是两个源极合流，然后是3个合流，为什么要全部引出来之后才宽度大于1um呢？

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