请教一个native NMOS可靠性的问题

nihaobuhaoa · 发表于 2016-1-10 11:16:47

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请教各位一个native NMOS的可靠性问题
如果只有3.6V native NMOS， VG=2.5V, VS=2.5V, VD=5V, VB=0V

这种MOS可靠性会有问题吗？
我个人认为VGB虽然有5V，但是GB之间存在channel，所以VGB不会直接跨压5V
DB之间虽然有5V，但DB之间应该是反向diode，耐压5V应该也不是问题

请问大家这样的看法正确吗

谢谢！

hszgl · 发表于 2016-1-10 18:41:43

你写的不是VG=2.5么？怎么又VGB=5V？
耐压最脆弱的是栅氧，foundry在测量耐压的时候也有Channel，落在栅氧上的压降也不可能是标示值。标示值一般是现象值，就是说加这个电压管子会坏，具体在栅氧上有多少压降很难也没有必要测出来。

nihaobuhaoa · 发表于 2016-1-11 10:21:44

本帖最后由 nihaobuhaoa 于 2016-1-11 10:23 编辑

回复 2# hszgl

哦，谢谢确实是写错了。。。
VGB应该是2.5V，栅氧应该没有问题

那请问VDB会有问题吗？

另外，再请教下，根据一些foundary提供的overdrive计算表格，GOI lifetime是和面积gate的面积有关系的。面积越大，fail的可能性越大
如果用的MOS很小，根据foundary的表格计算出来的fail概率非常非常小
这种超压，是不是还好？

谢谢！

hszgl · 发表于 2016-1-11 12:38:21

回复 3# nihaobuhaoa

我没法评估。但是VDB这个5V一般没啥问题。

TianBian365 · 发表于 2016-1-11 13:56:55

按理说没有问题，注意上电的顺序。。。若5V先上，NATIVE 的VGD=5V 还是有risk的

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