diode在IO作ESD保护的问题

ss221146 · 发表于 2015-12-1 14:14:16

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在做逆向时发现在IO 的NMOS drive 的区域，NMOS管的漏端到gnd 接有N+/psub二极管，w*l=1*15,f=3。请问各位大神此二极管的意义是什么，既然有了大尺寸的驱动管和ggnmos,此diode 还有没有存在的必要，或者有什么优缺点

albertyin · 发表于 2015-12-1 15:44:56

NMOS的drain端和Psub之间本身就是二极管.
如果有单独的二极管, 需要看具体的版图才能分析其可能作用.

ss221146 · 发表于 2015-12-4 09:33:04

本帖最后由 ss221146 于 2015-12-7 19:51 编辑

回复 2# albertyin

就是除了寄生二极管之外的单独的二极管，如图片所示.

sch

layout

albertyin · 发表于 2015-12-4 13:38:06

图片看不到

michang5342 · 发表于 2015-12-23 08:01:20

楼主展示的布局看来就是一般的IO布局。没有看到二极管。所以，电路图显示的二极管应该是IO cell的betlist吧。里面的二极管其实就是Boron implant 的NMOS，布局上是看不到的，因为这个二极管就是NMOS的drain。

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