急！如何用低压器件产生一个可以耐高压的电容？

jimipage · 发表于 2015-9-9 10:08:30

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我现在的工艺没有高压电容，我能否有办法用低压的器件产生一个耐高压电容？
比如我可以用几个低压的电容串联起来，这样不就可以耐高压了吗？
是否对？
还有其他办法吗？

semico_ljj · 发表于 2015-9-9 11:19:37

你是用MOS做Cap还是用MIM？

jimipage · 发表于 2015-9-9 12:22:06

哪个好用哪个
大概要3p的电容

semico_ljj · 发表于 2015-9-9 12:59:05

回复 3# jimipage

现在问题是你的高压是多少？你的工艺是多少nm？

jimipage · 发表于 2015-9-9 13:20:26

60V
0.25BCD

hehuachangkai · 发表于 2015-9-9 14:45:09

串一个耐压增加一倍，但是电容值小一半。计算一下需要多少个，不就可以了。

semico_ljj · 发表于 2015-9-9 16:45:57

回复 5# jimipage

60V 如果不用高压器件，任何电路都不行了！

串联也是有风险的，会某一个先击穿！

耐压差别不是一点点

hszgl · 发表于 2015-9-9 16:52:48

本帖最后由 hszgl 于 2015-9-9 17:03 编辑

回复 5# jimipage

你用的工艺中耐压器件的栅氧击穿电压和ds击穿电压分别是多大？一般BVds会大于栅氧，实在不行就可以用结电容试试。。。当然，面积会很大很大。。。
我用过的40V工艺，栅氧击穿电压可以达到80V。

semico_ljj · 发表于 2015-9-9 21:49:04

回复 8# hszgl

“我用过的40V工艺，栅氧击穿电压可以达到80V”这个我信，可以做到的！

但是楼主说他不想用高压工艺，普通工艺就只有3.3V,5V这些，无论如何是到不了60V的！

hszgl · 发表于 2015-9-9 21:55:57

回复 9# semico_ljj

我看到他说bcd，我以为是高压的，

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