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查看: 3751|回复: 8

[原创] 如何测试hold time 的余量?

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发表于 2015-8-27 11:48:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

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上一颗芯片,为了保险,hold time 的余量设置得比较大,基本按照tsmc 给得OCV值和holdtime 推荐设置的。

芯片回来后,加电压温度都没有hold time 问题,这个余量就测不出来了。

hold time 降频升频都没法测,大家有什么办法测量这个余量?
新工艺修hold 的成本很高,这个余量测量,下次的hold 就没必要如此高余量了。
发表于 2015-8-27 13:06:49 | 显示全部楼层
就是0.2或者0.3ns的差别,  用得着去测试么,就是个经验的问题,
 楼主| 发表于 2015-8-27 13:25:36 | 显示全部楼层
回复 2# icfbicfb

28nm下,ffg corner,tsmc OCV之外也要求在50ps的余量。这个如果修hold ,接近2%的power/area
发表于 2015-8-27 15:54:08 | 显示全部楼层
回复 3# papertiger

我觉得你这个想法没有什么意义,Foundary都是经过无数流片测试才会给出的值,你单凭一个片子怎么可能测出这个,出了问题谁来负责?
 楼主| 发表于 2015-8-27 16:33:50 | 显示全部楼层
回复 4# korchagin

当然有意义。面积、功耗都是重要指标,精益求精当然是意义很大的。
发表于 2015-8-27 17:29:44 | 显示全部楼层
多次测量统计才能叫该ic的hold time
发表于 2015-8-27 17:40:27 | 显示全部楼层
精益求精到 ps级别,我也是服了你了,
发表于 2015-8-29 15:18:21 | 显示全部楼层
回复 5# papertiger


   能降低当然好,问题是你觉得风险收益比怎么样?到时候你hold出问题了,谁能承担这个责任?
发表于 2015-8-29 21:25:18 | 显示全部楼层
降低电压的时候,由于Transition增大,Hold会劣化的比较厉害。你可以实测一下片子在电压降到多低时(当然频率要够慢)功能出现故障,然后K一个那个电压下的库,按照现在的策略分析一下Hold违例多大。
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