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[求助] 一个关于基准的问题

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发表于 2015-8-25 13:23:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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QQ截图20150825132011.png
这个1.25V的基准电压是在300K时推得的,也就是因为要让300K时温度曲线斜率为零,因此得到了一个正温度系数,而恰好这个系数可以让TC=0时输出1.25V的电压。
我的问题是,在300K时得到TC=0,而且恰好输出电压为1.25V不是在任何工艺下都可以实现的吧?
发表于 2015-8-25 13:42:02 | 显示全部楼层
不同工艺,略有却别,但是原理一样的
发表于 2015-8-25 14:33:42 | 显示全部楼层
对,Vbe不一样。有时候BJT的温度变化也略有不同。
 楼主| 发表于 2015-8-25 17:33:27 | 显示全部楼层




   就是说我现在在实际的工艺下调基准  用拉神的这种PTAT和Vbe叠加是有可能得不到300K下TC=0且输出1.25V的是吧?
发表于 2015-8-25 21:23:59 | 显示全部楼层
不同工艺下面的bjt具有不同的温度系数
发表于 2015-8-25 21:51:58 | 显示全部楼层
回复 4# fightshan

对,比如65nm 1.23V,40nm 1.225V, 28nm 1.219V,16nm 1.182V
发表于 2015-8-26 04:58:06 | 显示全部楼层
用16nm的公司还真不多,
 楼主| 发表于 2015-8-26 09:09:14 | 显示全部楼层


回复  fightshan

对,比如65nm 1.23V,40nm 1.225V, 28nm 1.219V,16nm 1.182V
lwjee 发表于 2015-8-25 21:51



OK  谢谢
发表于 2015-8-26 10:07:56 | 显示全部楼层
回复 7# hezudao


   16nm?!只有DRAM,手机芯片和高端仿真开发板采用

28nm做绝大多数产品够用了
发表于 2015-8-27 03:49:28 | 显示全部楼层
1.2 is the magic voltage(band gap) for silicon at absolute zero degree. Non-ideal factors(process spread, op-amp offset, current gain variation, current mirror mismatch etc.) finally make the output have normal distribution.
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