LDO 基准电压结构选择

liliheqing · 发表于 2015-8-4 15:57:50

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小弟最近在做一款高压LDO,最高输入电压18V,静态电流 3uA左右,最大输出电流100mA，输出精度和psrr 等都没有要求(基本就是满足静态电流就行) ,请问这种LDO的基准采用哪种结构比较合适，请各位大神给指点一下，谢谢！！

liliheqing · 发表于 2015-8-4 16:46:48

自己顶起

13923781561 · 发表于 2015-8-4 18:02:49

要求低，选择面就宽了。核心还是怎么补偿零极点，其次是在小电流时的稳定性

liliheqing · 发表于 2015-8-4 18:49:51

请问这种情况可以用标准的bandgap去实现吗,谢谢?

hehuachangkai · 发表于 2015-8-4 19:48:45

回复 4# liliheqing

bg就算外加buffer，也提供不了这么大的电流吧？

liliheqing · 发表于 2015-8-5 09:11:33

回复 5# hehuachangkai

你好,你说的提供不了这么大的电流是什么意思,这里的BG需要提供大电流吗 ,谢谢!!!

qiwentuo · 发表于 2015-8-5 09:54:01

1.你的输出电压范围是多少？输出固定吗？如果输入输出压差较大，可以用nmos的LDO啊！补偿好做
2.是做片内LDO（一个cell）给其它模块供电还是就是做一个LDO芯片？

mikeppq · 发表于 2015-8-5 10:19:53

用标准的就行，控制好各block电流，做好补偿

zjwu508 · 发表于 2015-8-5 10:20:59

the most popular solution of low Iq bandgap is E/D NMOS

菜鸟RFIC · 发表于 2015-8-5 16:43:15

回复 5# hehuachangkai

bandgap在这里只是给LDO提供一个稳定的偏置电压，并不提供负载电流，这里的100mA电流，应该是指负载电流！

[求助] LDO 基准电压结构选择