想问一下inv，nand，nor之类的逻辑门的pcell的skill如何编写，已有mos管skill。

313844990 · 发表于 2015-6-16 10:25:16

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各位大神，想编写inv，nand，nor的pcell skill，但是没有思路，已有mos管pcell skill，请大神们帮忙。

313844990 · 发表于 2015-6-16 11:23:02

版主，帮忙解答下问题吧。

bsbs525 · 发表于 2015-6-16 14:39:41

无非是通过参数的设置进行拉伸什么的~~
难点就是既然是门级的pcell了，那么“等高”是必须的，因为逻辑电路/数字PR里都一般是等高的。但要求“等高“，又不好进行简单的拉伸了，所以制作门级的pcell还是………………

laiqingbing1 · 发表于 2015-7-31 17:17:44

可以直接调用pcell inst，一般都是由nmos和pmos组成，分别设置相应参数就行，
难点是各种门级pcell中的走线要预先想好，同时门级pcell等高，如果nmos、pmos的w发生变化，
在何种情况下需要增加管子的finger，保证fw可以在指定的高度内放下，w=fw*finger，多个
finger的门级走线怎么走也要预先想好。