capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？

hszgl · 发表于 2013-7-2 12:19:20

回复 39# semico_ljj

所以准备推倒重新搞。。。

xiaowanzi88 · 发表于 2013-7-8 16:28:16

回复 8# zhunairu

这个恐怕不对吧？负载20pF能抗7.5A的负载变化？负载调整率多少？20uF可以考虑能行

一个人的江湖 · 发表于 2014-5-11 11:42:13

回复 8# zhunairu

求大神共享资料，20p 7A 逆天啊

mikeppq · 发表于 2014-5-12 15:40:43

只在理论中可行

自学成菜 · 发表于 2014-5-12 19:27:36

相位裕度无需60, LDO补偿电容大小还要看空载需要驱动多大负载电容；

semico_ljj · 发表于 2014-5-12 21:52:07

回复 8# zhunairu

牛niuniu

beyond某人 · 发表于 2015-6-9 20:11:01

回复 41# hszgl

学长你好，最近在做一个capless的ldo，是给HALL PLate供电的，3V输出，负载电流最大应该在10mA，
有推荐的结构和paper吗？不胜感谢。

hszgl · 发表于 2015-6-9 20:59:34

回复 47# beyond某人

这种LDO用最简单的结构就行了。负载不会大变化，capless很容易做。paper上的不适用。

beyond某人 · 发表于 2015-6-10 13:36:23

回复 48# hszgl

恩谢谢那我去试试miller 补偿的结构

peterlin2010 · 发表于 2015-6-11 06:37:04

回复 40# hszgl

this chip inside Vcc LDO
no extra Vcc pin design

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[求助] capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？