Low power Bandgap的问题

nihaobuhaoa · 发表于 2015-4-15 16:01:55

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因为项目需要，做了一个low power BG就是最简单的架构
每路电流path在常温下大概是0.1uA的电流，用的MOS size非常夸张，大概是2/20u这样的量级
最开始担心高温不能工作，因为高温下leakage可能会变大，而本身电流又很小
但测试结果是，高温下基本能工作，低温下却不能（-40）
有大神做过这种BG吗？大家觉得可能是什么原因？
谢谢

semico_ljj · 发表于 2015-4-15 16:08:37

2/20u这样的量级？担心高温不能工作？
高温下leakage可能会变大？？？
不会的，你又不是20/0.5

semico_ljj · 发表于 2015-4-15 16:11:30

还有请问工作电压范围和工艺是？ 低温下是所有电压都不工作？
不太可能啊

nihaobuhaoa · 发表于 2015-4-15 16:19:09

回复 2# semico_ljj

是啊，就是因为担心高温下leakage，所以用了2/20u这样的MOS

nihaobuhaoa · 发表于 2015-4-15 16:20:29

回复 3# semico_ljj

工艺.13 ,,, 目前测试的电压是3V

hehuachangkai · 发表于 2015-4-15 18:29:00

低温时，管子进入亚阈值区了。电路直流特性已经不正常了。

superchildren · 发表于 2015-4-15 20:05:26

我怀疑启动电路低温不正常

semico_ljj · 发表于 2015-4-16 09:59:29

低温什么时候开始有问题的？
你的仿真各个cornor都完全仿过了嘛？
特别是 SS ？

nihaobuhaoa · 发表于 2015-4-16 10:00:43

回复 7# superchildren

是先启动，再降温的

nihaobuhaoa · 发表于 2015-4-16 10:05:19

回复 8# semico_ljj

因为不是我测试，加上又是SOC中的一个小模块，所以我也不清楚何时开始有问题。现在只知道-40有问题，常温和高温没问题换了一个电流大一些的BG，系统也没问题

SS当然有跑。。。
不过本身是shuttle，遇上ss的可能性很小

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