power plan后的congestion问题

haizhihuaxyh

最近在学习ICC，遇到一点问题，希望能得到大大的指导。布局、VFP再跑一次之后congestion的分析，感觉congestion很少

图1：
在做了power之后，又分析了一下congestion，感觉增加了挺多

图2：

放大细节发现，standard cell的rail连到了macros（sram）之间的位置（set_keepout_margin=10,hard type），估计这是congestion增加的原因，虽然知道可以拉开距离，但是像这种具体的情况不知道该怎么解决，实在有些迷茫，希望能得到大侠的帮助，非常感谢！
图3：

icfbicfb

power打的太多了吧，建议route完看short的地方 就明白了

haizhihuaxyh

回复 2# icfbicfb
感谢版大的回答！我正在绕线等着看结果，不过感觉要很久。。看来这个power做的不好，我原本以为只是standard cell的pg rail的问题，不知道还会有什么其他可能的问题，估计等到看结果会有更直观的认识。

icfbicfb

什么工艺？  就4层 布线资源，太少了吧， 怪不得打完power就不行了，

haizhihuaxyh

回复 4# icfbicfb
刚欢送完同事回来就看到了版大的回复，非常受宠若惊。我们采用的是global foundry 0.18um工艺，因为之前流片的相同工艺的模拟芯片只用到了4层金属，而且这颗芯片的数字规模也很小（45%左右的是sram模块，80%的芯片利用率），所以想当然的希望这颗芯片能通过4层金属实现了。

icfbicfb

metal4 是9K厚度么，  利用率这么高，不好做的， 打power要有些讲究，

memory本身就占用4层金属，相当memory本身都无法提供太多route resources，

haizhihuaxyh

回复 4# icfbicfb

我看了一下绕线的layout，发现那些部分走线比紧张（版大提到的金属层少走线资源少应该是造成这个问题的主要原因），想到的办法是：1.首先将相应的sram array间距拉大一些，2.因为sram已经自带了一圈power ring（2um）,额外加的那一圈的power ring考虑不加了（不知道pns会不会有问题，sram相对较多），3.将某些sram调整位置和方向，并align pin以减少折线，减少额外占用的绕线资源。目前想到的就是这些，先run试试看。

haizhihuaxyh

回复 6# icfbicfb
呵呵，版大一看就知道是9KA的，M4确实是的。那一般这种情况下，利用率多高会比较合理呢？我还不是特别清楚。

icfbicfb

对，memory有ring 就不用另外加ring了，只要straps tap上就行了，

m4 的设计，利用率很难到80%以上， 70% 左右差不多了，

haizhihuaxyh

回复 9# icfbicfb
嗯，感谢版大的解惑，我再试试看！