Capacitor less low drop out regulator (LDO)

superchildren · 发表于 2015-3-13 09:18:20

如果确定应用就是3.3-1.2，用NMOS是合适的，面积小，更稳定。2.5-1.2用NMOS是有点累的。所以要清楚知道应用。

naoz · 发表于 2015-3-14 15:45:16

回复 8# hqiwei198

LDO优势不在效率，优点就是fully integration, low noise， high density。效率不行的

mpig09 · 发表于 2015-3-14 18:30:20

If the VOUT needs to closed to VIN(Low drop output), LDO needs uses PMOS,
and I agree with naoz's reply.

mpig

mk2003 · 发表于 2015-3-15 01:24:35

回复 12# naoz

我3.5输出3.3，效率怎么不行--

semico_ljj · 发表于 2015-3-15 13:34:28

回复 6# lionlinok

还没入门

semico_ljj · 发表于 2015-3-15 13:35:21

回复 8# hqiwei198

LDO的优势不是效率

hqiwei198 · 发表于 2015-3-15 19:22:38

回复 12# naoz

如果LDO不看重效率的话，那么用PMOS跟NMOS比，优点在哪？很明显NMOS更加稳定，PMOS的drop voltage要小一些（驱动同等电流的话）。

hqiwei198 · 发表于 2015-3-15 19:25:43

回复 11# superchildren

如果用3.3V到1.2V，LDO跟芯片其他都集成在一起的话，会不会存在危险？我的意思是说，LDO起始输出可能是3.3V，这样会不会烧坏1.2V的管子？

hqiwei198 · 发表于 2015-3-15 19:31:54

回复 16# semico_ljj

为什么很多论文都是用的PMOS，然后用一些复杂的结构来移动pole位置，提高稳定性。直接用NMOS的话，就不存在稳定性的问题了。那么LDO里面，NMOS与PMOS的差别主要体现在Vin-Vout=drop大小上了，drop越小，效率就越高。如果不考虑效率的话，为什么不用NMOS？

semico_ljj · 发表于 2015-3-15 21:54:13

回复 18# hqiwei198

你是不是还没做过实际项目，还是学生，没有人指点你，现了解一下工艺的MOS器件？

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