HR poly结构设计

玉道老人 · 发表于 2014-12-20 11:16:34

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很多FAB厂针对高阻多晶都有要求上面需要添加dummy metal做为掩蔽层，示意图如下。经过实际流片测试发现，带Metal的HRpoly的方块电阻会约等于2倍的不带Metal保护的HRpoly。Metal淀积后的后段流程哪里能影响到多晶电阻的阻值呢？待高人解惑。

keenkeen · 发表于 2014-12-22 18:32:44

dummy metal?

layout123 · 发表于 2014-12-22 22:42:04

回复 1# 玉道老人

能有那么大误差吗？怀疑

miaoyue1999 · 发表于 2014-12-23 09:45:48

严重怀疑你数据的真实性，一般放metal也不是造成这么大的偏差吧，有些制程是需要放metal1，电阻更准确一点，原因可以看书，也可以网上查。

randysong · 发表于 2014-12-24 14:47:12

感觉是把口值1k的高阻做成了口值2k的高阻了，是不是在给工艺厂的数据信息表中把1k填写成2k了？

milo_li · 发表于 2014-12-24 18:38:21

不可能把！！！加 metal 主要三准确点吧！！！！！！！！！！！

天狼23 · 发表于 2014-12-26 17:09:26

在金属化系统的过程中会引入氢，氢渗入氧化层中科形成可动离子，当其扩散至si区时，可与si区中的悬挂件结合，也可与硼形成若的分子化合物。应为是高阻电阻，其多晶硅的参杂浓度低，受这种氢化作用的效果会更明显，如果是重掺杂低值电阻，影响就会小很多建议楼主看看你们用的电阻是不是P型轻参杂的电阻，如果是的，我觉得氢化作用在这里可能起到了主要作用。

天狼23 · 发表于 2014-12-26 17:10:26

回复 1# 玉道老人

在金属化系统的过程中会引入氢，氢渗入氧化层中科形成可动离子，当其扩散至si区时，可与si区中的悬挂件结合，也可与硼形成若的分子化合物。应为是高阻电阻，其多晶硅的参杂浓度低，受这种氢化作用的效果会更明显，如果是重掺杂低值电阻，影响就会小很多建议楼主看看你们用的电阻是不是P型轻参杂的电阻，如果是的，我觉得氢化作用在这里可能起到了主要作用。

fenger2038 · 发表于 2014-12-30 15:15:20

这个问题好奇怪，一般的POLY电阻周围加dummy也是加poly怎么会要加METAL?

玉道老人 · 发表于 2014-12-31 08:27:01

回复 9# fenger2038

加Dummy poly是为了改善poly形貌，加Dummy metal是为了改善poly电性阻值

[讨论] HR poly结构设计

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