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楼主 |
发表于 2014-12-19 19:11:45
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回复 4# hehuachangkai
兄弟,太感谢你了 说的这么详细,最近忙着抢火车票都没及时回复你,实在抱歉
我只分析了上电的时候,(左数三条支路)就是VDD从零斜坡增加到1.8V,
<1>. 当0<VDD<VTH_N,最左边的支路不能导通,所以各点应该跟随VDD
<2>. 当VTH_N<VDD<2*VTH_N,最左的支路导通,由于电流很小,VGS约=VTH,最左边二极管连接的的NMOS的栅电压约为VTH_N,
所以左边第二支路还是不能导通,因为VDD-VG小于VTH,反相器的VB3为高,
<3>.当VDD>2*VTH_N,左边两条支路导通,反相器的VB3为低,充电结束 |
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