新手求救~DC综合时加入如何加入pad~

sweeteawz

各位大侠好，小弟新手，在综合的前貌似需要在top层例化 pad，但是小弟在lib里貌似找不到合理的pad，我用的是smic13的库，不知道有没有大哥可以指点下，电源pad和信号pad在哪个文件里，要怎么根据lib里面的内容来判别是不是我需要的pad？
比如：
[zhuow@localhost /mnt/hgfs/share/smic13/Version1.0 ]$:ls

IO_01/  IO_02/  STD/  STDHT/


我进到IO_01里面找相关的lib，在IO_01里面有：
ApplicationNotes_IO_DesignKit.txt*  LEF/                            Symbol/    TLF/
Floorplan/                          ReleaseNotes_IO_DesignKit.txt*  Synopsys/  Verilog/


Floorplan/    Synopsys/    这2个文件夹下似乎都有 定义IO的文件，有什么区别呢？怎么选呢？
在Floorplan里面有个.V 文件，里面只是例化了module：
module PLBI16F (D, P, A, CONOF, NEN, PD, PEN, PU, SONOF);
    output D;
    inout P;
    input A;
    input CONOF;
    input NEN;
    input PD;
    input PEN;
    input PU;
    input SONOF;

在Synopsys文件夹下，比如打开这个文件：
smic13IO_01_line_ff.lib


里面 确实像是 LIB一样，有很多2维查找表，但是不知道哪些是可以用的PAD。

还有 ，为什么有些pad会有非常多的端口？  不是只有2个端口就可以了吗？  比如我例化了一个smic13IO_01_line_ff.lib里面感觉好像是pad的东西：

PLBI16F PAD_CLK ( .P(clk), .A(1'b0), .CONOF(1'b0), .NEN(1'b0), .PD(1'b0),
        .PEN(1'b0), .PU(1'b0), .SONOF(1'b0), .D(pad_clk) );

在综合后netlist里就出现了这个。


哪位大神可以指导一下啊~感激不尽~

sweeteawz

不要沉啊~自己顶了

tuguoping1989

在 I/O文件夹里面找要用的PAD，关键是看工艺包的doc文件，里面说的很清楚，去看看吧

ysn012345

回复 1# sweeteawz


    你解决了么  怎么弄得

icfbicfb

看文档，io的， 要看懂，否则怎么用都搞不清，

不会配置io 就选直接输入或输出的io， 不选双向io，

522526tl

回复 5# icfbicfb
版主 问个小问题啊，第一次做IO的东西(DC综合)

这个是之前师兄写的，其中关于IO端口例化的其中一段
PDIDGZ  PAD_CLK(.PAD(clk),.C(top_clk));
   PDIDGZ  PAD_RESET(.PAD(reset_n),.C(top_reset));
   PDIDGZ  PAD_IN_ENA(.PAD(in_ena),.C(top_in_ena));
   PDO02CDG  PAD_CARRY_ENA(.I(top_carry_ena),.PAD(carry_ena));
   PDO02CDG  PAD_CNT_0(.I(top_cnt[0]),.PAD(cnt[0]));
   PDO02CDG  PAD_CNT_1(.I(top_cnt[1]),.PAD(cnt[1]));
   PDO02CDG  PAD_CNT_2(.I(top_cnt[2]),.PAD(cnt[2]));
   PDO02CDG  PAD_CNT_3(.I(top_cnt[3]),.PAD(cnt[3]));

因为现在换库了，工艺库中的IO.v文件如何看呢

module PLOS8N (D, P, A, CONOF, PD, PU, SONOF, E3V);
        output D;
        inout  P;

  ....

module PLOS8F (D, P, A, CONOF, PD, PU, SONOF, E3V);
        output D;

...

都是这种的啦 想问下，我该怎么换呢
多谢啦

文档中也没什么东西，大概如下这些：

1.Recommend Operating Conditions
                                      typ     max      min
  core DC supply voltage(volt)        1.8v    1.98v    1.62v
  IO   DC supply voltage(volt)        3.3v    3.63v    2.97v
  Junction temperature(centigrade)    25      125      -40

2.Derating Factors
  The derating factors of VeriSilicon GSMC 0.18um IBG 1.8V/3.3V IO Cell Library given
  in document GSMC18-IO.pdf are for pre-layout estimation only.

icfbicfb

没空教你，慢慢研究吧，

ra3d

没空教你，慢慢研究吧，

yi4105635

回复 7# icfbicfb


    版大，关于DC综合后pad的扇出很大 是671 而且每一个输入端都是。 请问这种问题该怎么处理呢

                               
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曦玄

回复 7# icfbicfb


    版主，请教一个问题，也是神对楼主的这个问题的，
我在做IO cell的综合时，我在我的TOP层实例化一个IO cell，我的这个IO cell的Lib内声明了2个Power pin，分别是VDD=1.2v，VCC=3.3v，GND，然后在综合的时候，check_design时，报出的错误是没有UPF data，请问，我是不是需要进行UPF设计？