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[求助] Monte Carlo具体参数的意义?

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发表于 2014-11-7 08:56:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大神,小弟想问下关于Monte Carlo仿真中具体参数的意义?比如,对一个电路的PVT进行MC仿真,(这里是TT corner,即常温常电压)其参数如下:
1.png
仿真结果:
2.png

工艺是SMIC65nm,其中关于MC的设置为:
3.png


请问,关于这个MC仿真,具体哪些变量在改变从而得出结果的平均和标准差?变量值从多少到多少

谢谢~
 楼主| 发表于 2014-11-7 10:53:57 | 显示全部楼层
求助啊
发表于 2014-11-7 13:57:53 | 显示全部楼层
帮顶一下   你的mc文件是自己写的还是foundry提供的? 能提供一份学习一下吗?  还没有做过mc分析
发表于 2014-11-7 17:07:16 | 显示全部楼层
你的sigma应用,在网表中的应用理解了。你的sigma_mis_a等又是在哪里用到了呢?能否把整个NMOS的MC模型贴一下看看?
发表于 2014-11-7 17:13:21 | 显示全部楼层
对于一个mosfet来说,MC的mismatch正态分布主要有vth,W,L,还有beta值,其实管子的主要工艺参数都有变化。主要vth影响比较大,
 楼主| 发表于 2014-11-7 19:33:10 | 显示全部楼层


感谢你的回答哈~还有,我想具体问一下:
我做MC仿真时候,只是调用了这个库,电路sp文件中只是设置了温度和电压值(见图1,只有sweep Monte=30这条语句),其他的没有改动。那请问,hspice在跑MC的时候,是以哪些变量在进行仿真,这些变量的具体范围是多少呢?

不甚感谢!
 楼主| 发表于 2014-11-7 19:36:05 | 显示全部楼层
回复 4# taohuachangkai hspice.rar (1.66 MB, 下载次数: 207 )
这是65nm的hspice仿真模型库。
发表于 2014-11-7 22:52:02 | 显示全部楼层
回复 7# 玉泉禅


   还有,你把库这么给出来,不怕引起纠纷吗
 楼主| 发表于 2014-11-8 10:15:29 | 显示全部楼层


回复  玉泉禅


   还有,你把库这么给出来,不怕引起纠纷吗
taohuachangkai 发表于 2014-11-7 22:52




   库我就是从EETOP上下载的。还有,MC仿真的具体意义你搞明白了嘛?跟我讲一下吧,谢谢了
发表于 2014-11-8 11:59:46 | 显示全部楼层
回复 9# 玉泉禅

恩。你仿真调用了一个包含蒙特卡洛和五个工艺角的.l库,这个库里边没有器件子电路描述。你会看到每种工艺角包括mc子仿真库,在最后都调用了一下ckt文件,这个文件里边包含所有器件子电路信息,而这个子电路中含有很多变量,就是之前.l库中定义的参数。 仿真的时候,两者共同组成了一个最底层网表,spice根据那个.inc命令(即include)自动调用subckt。而mc仿真变量的变化正是.lib mc这部分中定义的高斯函数在起作用,而这些函数又被ckt子电路中的变量应用,每次仿真高斯函数给的值都不同,即每次仿真都会产生不同的结果,这些结果跟随高斯函数给出的值的变化,呈现高斯分布。
   想问一下,你tran跑了100次,是不是确实观察到了高斯分布的变化结果呢?还是结果基本上没有变化?
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