比较器MC仿真问题

xjj0914 · 发表于 2014-10-29 09:43:41

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请问一下各位：我对比较器进行MC的前仿真和后仿真时，发现后仿真的结果比前仿真要好很多，这是什么原因啊？后仿真能达到指标要求，而前仿真结果不能达到指标要求，是不是还需要对电路原理图进行调整，使前仿真也达到指标要求？

victor0o0 · 发表于 2014-10-29 13:33:18

你看的是哪些参数？

xjj0914 · 发表于 2014-10-29 15:13:03

回复 2# victor0o0

我仿的是比较器的失调电压

victor0o0 · 发表于 2014-10-29 15:35:03

回复 3# xjj0914

MC仿真主要还是看分布，可能本来有一点系统offset，mismatch 造成的offset有可能一定程度上补偿了

wandola · 发表于 2014-10-29 16:39:35

你要先说说你的比较器的结构。静态的或者动态的。vdd=?, 工艺？

个人觉得后仿比前仿效果好，有点无法理解。。。

xjj0914 · 发表于 2014-10-29 16:39:41

回复 4# victor0o0

谢谢你的回答。前仿真和后仿真的分布都是呈高斯分布形状，但是前仿真的结果中均值和方差的值没有达到要求，后仿真达到了，想问一下后仿真的仿真结果能作为最后仿真结果给出，还是需要调整比较器的参数，使前仿真结果也达到指标要求啊？

xjj0914 · 发表于 2014-10-29 16:41:42

回复 5# wandola

比较器为动态的，vdd=1.8V，TSMC0.18CMOS工艺。

victor0o0 · 发表于 2014-10-29 16:45:08

回复 7# xjj0914

具体点，前后仿均值方差分别多少？仿了多少次？

xjj0914 · 发表于 2014-10-29 16:58:34

回复 8# victor0o0

前仿真：均值=8.8mV ，方差=12mV；后仿真：均值=2.7mV，方差=0.2mV。

xjj0914 · 发表于 2014-10-29 17:00:14

回复 8# victor0o0

前仿真和后仿真都跑了200次

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