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[原创] 这个电阻和电容是?

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发表于 2014-10-24 12:56:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏49资产已解决
本帖最后由 istart_2002 于 2014-10-27 12:57 编辑

圈内的电阻和MOS电容是防止大电流的么???
QQ圖片20141024130021.jpg QQ圖片20141027125624.jpg

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赞同楼上。你下边不是有一个稳压电容吗,在逻辑切换的一瞬间,比如0到1,下边N管由于电容的存在,仍保持导通,该电阻阻挡反相器P管栅上边电压突变为零,使得反相器形成通路,产生漏电。当然这个电阻的大小要大些,比如RC要大于RnmosC,使得阻挡作用强于下边N管对电容的放电作用,在电容上压降关闭反相器N管后,电阻上节点才开始对地放电,进而打开反相器P管。 疑惑:按理说,这个电容应该越小越好,电阻越大越好,不晓得这里为什么 ...
发表于 2014-10-24 12:56:32 | 显示全部楼层
赞同楼上。你下边不是有一个稳压电容吗,在逻辑切换的一瞬间,比如0到1,下边N管由于电容的存在,仍保持导通,该电阻阻挡反相器P管栅上边电压突变为零,使得反相器形成通路,产生漏电。当然这个电阻的大小要大些,比如RC要大于RnmosC,使得阻挡作用强于下边N管对电容的放电作用,在电容上压降关闭反相器N管后,电阻上节点才开始对地放电,进而打开反相器P管。
疑惑:按理说,这个电容应该越小越好,电阻越大越好,不晓得这里为什么要稳压(除非是IO的ESD输入部分,如果是,你后边跟的那个电阻也就好解释了,应该300欧左右吧),如此反而加大了可靠性设计的难度和造成面积上的损耗。
还有,如果是用在ESD结构上的话,那很确定就是保护MOS栅的,防止电源电压突变造成栅击穿。
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发表于 2014-10-24 14:47:24 | 显示全部楼层
这是什么电路?
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发表于 2014-10-24 15:31:34 | 显示全部楼层
还有RC?
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 楼主| 发表于 2014-10-24 16:34:19 | 显示全部楼层
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发表于 2014-10-24 16:38:20 | 显示全部楼层
感觉是上电复位,如果电阻和电容比较大,那这样的猜测可能性更大,输入0,开始输出是1,等电容上充电后输出变成0.
对了,小哥你总是有那么多诡异的小电路,冒昧的问一句,你在搞反向吗。。。
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发表于 2014-10-24 17:07:02 | 显示全部楼层
RC 产生的延时构成后一级的死区时间。防止后一级inv  shortthrough current。
我看你后一级的inv也不大,怕这点shortthrough current 么?要么这个电路的电源带载能力差,要么就是高压,高速才会在乎这点shortthrough current  对电源产生影响而影响到电路其他性能。

答案是正确的给我奖励吧。
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发表于 2014-10-24 17:10:32 | 显示全部楼层
DCHG后面就只接一些管子的gate么?
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发表于 2014-10-24 17:14:45 | 显示全部楼层
让你公司多充点值,下回发悬赏多给点,太抠了。要不就别发悬赏了。
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发表于 2014-10-25 12:49:07 | 显示全部楼层
防止电路在逻辑切换的时候nmos和pmos管同时导通a。
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