在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 16311|回复: 25

[讨论] density不足或过多对芯片的影响?

[复制链接]
发表于 2014-8-26 14:16:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
画block时经常会发现有density的问题,一直不知道这个问题对整个芯片的制造有些什么影响?是不是每块芯片在出去之前一定要把density这个问题清空才可以,谢谢各位不吝赐教!
发表于 2014-8-26 14:26:29 | 显示全部楼层
这个主要是涉及DFM问题,如果密度不满足要求,那么会影响CMP的平坦度,也就会影响批次工艺的稳定性,所以在工艺稳定的前提下会一定要求密度填充。如果DFM问题不解决,批次的良率就会很低,良率---就是钱啊。
发表于 2014-8-26 15:33:45 | 显示全部楼层
简单说来,density不够的话,经过工艺线上各道工序后,很多金属连线的宽度会变细,margin变小,极端的甚至会断掉
 楼主| 发表于 2014-8-27 10:17:06 | 显示全部楼层




    本人小菜,请问能否给予DFM和CMP的全称啊?
 楼主| 发表于 2014-8-27 10:58:04 | 显示全部楼层
刚看到的资料

试想芯片上的金属密度不够均匀,有的地方密度大,有的地方密度小,那么在经过金属淀积后,metal density小的地方已经出现了低凹,再进行刻蚀和抛光后,原本Layout(版图)上 density较低的区域,对应在wafer上此时的metal的厚度要相比metal density较高区域的薄。故直接影响到wafer的平坦度,从而影响后续工序的精准度,造成IC之电性不良、直接影响wafer的良率。
当整个芯片layout金属密度过低时,wafer 上对应需要刻蚀掉的metal量就多,容易造成刻蚀不干净,有过多metal残留于wafer上,影响后续工序。而当整个芯片layout金属密度过高时,则wafer 上对应需要刻蚀掉的metal量就少,容易造成刻蚀过量,对正常的metal导线也去刻蚀掉。1
发表于 2014-8-27 15:30:11 | 显示全部楼层
回复 4# even810223


    Design for manufacture和Chemical Mechanical polishing
 楼主| 发表于 2014-8-28 14:50:12 | 显示全部楼层


回复  even810223


    Design for manufacture和Chemical Mechanical polishing
kopzinc 发表于 2014-8-27 15:30




    多谢!
发表于 2014-9-25 17:14:14 | 显示全部楼层
长知识了,多谢。
发表于 2014-9-26 14:25:20 | 显示全部楼层


刚看到的资料

试想芯片上的金属密度不够均匀,有的地方密度大,有的地方密度小,那么在经过金属淀积后, ...
even810223 发表于 2014-8-27 10:58



好像说反了吧,我记得是metal density越高的区域metal越薄
 楼主| 发表于 2014-9-28 11:05:40 | 显示全部楼层


好像说反了吧,我记得是metal density越高的区域metal越薄
fuyibin 发表于 2014-9-26 14:25




    请大富豪解释下,好让大家理解、学习,因为我也只是查到的资料,谢谢!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-8 15:05 , Processed in 0.029663 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表