关于二阶温度补偿的带隙基准的问题

semico_ljj · 发表于 2013-5-29 12:10:47

论文模式精度可以到10ppm

math123 · 发表于 2013-5-29 12:33:42

拉扎维书上说由于失配比bipolar大，二阶补偿的效果在CMOS工艺中不显著

darkkiller · 发表于 2013-5-29 14:33:48

应该增加Q4的面积。

ygchen2 · 发表于 2013-5-29 22:18:27

我与楼主碰到同样的问题。按各paper上公式，VEB中有二阶项为(n-m)VTlnT/To，当pnp管电流为PTAT时，n=1，而电 ...
jxaa024172 发表于 2013-1-19 12:19

登录/注册后可看大图

这个电路中，补偿支路流过BJT的电流根本不是PTAT而是VREF/R电流。如果PMOS相同，补偿支路下面只有一个BJT而核心支路是BJT加电阻，如果所用BJT同样大，当然C点电压会比A，B点高了。所以想让C点电压与A，B点相同，不该结构的话，只有增大补偿支路BJT或者减小补偿支路电流。

youlin123 · 发表于 2014-8-20 20:13:38

下载来看看，，，，可以啊

Cruise.lj · 发表于 2014-9-13 12:43:58

回复 1# 朱鹮2011

Q4的面积应该设大一点

pingdandan · 发表于 2014-9-15 17:16:55

谢谢分享

feilongf91 · 发表于 2014-9-15 23:06:16

回复 8# jxaa024172

我也是，调得好了，但是工作电压一变，比一阶还要差很多。

semico_ljj · 发表于 2014-9-16 13:15:37

nicer

reochan00 · 发表于 2014-9-26 09:19:12

增加三极管M数目可以把电压降下来

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