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查看: 8125|回复: 16

[求助] ESD问题请教各位大侠!

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发表于 2014-7-15 10:44:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位,我在宜硕打ESD时现在碰到一个问题(宜硕打ESD比较权威,他们的ESD过程没有问题,
只是我们想分析他们的结果)
就是附件中所述的引脚PAD1对引脚VSS打正2000V(即PAD1为电压正端,VSS为电压负端)时,PAD1对VSS
的IV曲线在打ESD前后没有变化(说明PAD1对VSS的ESD防护没有被打坏),但是导致芯片引脚VDD对VSS之间有漏电,
不知道有没有人碰到过这个问题?什么机理呢,请教过程中
eetop_esd_problem.png
发表于 2014-7-15 11:08:09 | 显示全部楼层
最左边的反向串联二极管以及电阻是片外加的TVS吗? 栅极到PAD1之间加的电阻略大啊~
另外在iST测试的时候是测完ESD立马进行IV曲线测试吗?还是说样片寄回来之后自己测的IV啊?
 楼主| 发表于 2014-7-15 14:03:46 | 显示全部楼层
谢谢您的回复,
最左边的反向串联二极管及电阻都是on chip的,
在IST测试时测完ESD确实是立马进行IV曲线测试的,你是怀疑ESD机台上芯片静电没有放光,
但是我们将芯片拿回公司(过了3个多小时后)测试所有漏电的芯片,发现VDD和VSS之间的漏电电流
在VDD=3V时,漏电流都在194uA左右(偏+-2uA以内);
在VDD=5V时,漏电流都等于537uA。
且3/5不等于194/537,说明不是正比例关系。

为什么说栅极到PAD1之间加的电阻略大呢?您是怀疑电阻略大响应变慢,会使ESD电路对
静电来不及反应吗?
 楼主| 发表于 2014-7-15 14:04:38 | 显示全部楼层
回复 2# ruinsnku


    谢谢您的回复
发表于 2014-8-28 13:35:18 | 显示全部楼层
有测VDD对VSS打2000V吗?
VDD对VSS间有可能存在薄弱的地方?
如:NDIFF接VDD与NDIFF接地。
 楼主| 发表于 2014-8-28 14:46:25 | 显示全部楼层
谢谢回复,
VDD对VSS 2000V、-2000V都测过,IV曲线没有变化,没有问题,呵呵!
发表于 2014-8-28 23:17:18 | 显示全部楼层
连接Pad1的那两个PN NP diode(结构是什么样)是用来做ESD防护用的吗?只是单独打Pad1(+) to GND吗?你觉得这个PAD最薄弱的区域就这这块吗?
发表于 2014-8-30 15:44:05 | 显示全部楼层
PAD1只接这里吗?
Zener的开启电压和导通阻抗是多少?
ESD放电器件是哪一个?
发表于 2014-9-17 18:27:16 | 显示全部楼层
若esd保護電路只有圖上這些的話, 串接電阻應該接在receiver之前、zener diode之後, 才能確實保護後級的gate oxide,一般應該還會有順向的diode接在pad到vdd上, 而VDD到VSS間也會有保護電路, 才能達到保護的效果
发表于 2014-10-1 00:07:11 | 显示全部楼层
回复 3# semi_bamboo


   为什么要是3:5的正比关系 器件的静态漏电本来就不是和电阻一样的
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