The effect of guard ring on the device is a problem. Thus, if we can simulation the impact of the guard ring on the process we can choose a better device when implement the layout design.
楼主,你钻死胡同了;多子少子理论是非常有用的,这也是半导体器件的本质,可不是一个电阻分压体系所能够代替的,但这并不是说电阻分压体系方式建模完全不对,我觉得楼主仅仅是把这这个模型扩大化使用了,在多子(比如p型sub之间有空穴电流,说穿了就是有一个psub点位是nosie的,假设一个psub是绝对0点,则他们之间的压差detav=I*R)情况下,电阻建模体系是很好的理解方式,也很正确,这点在《Substrate Noise Coupling in RFICs》上有很多更具体的仿真与实例;至于少子电流,请收集论坛中关于latch-up的文章,有的给出了比较详尽的器件或者结构载流子(电子或者空穴)的分布仿真图。