关于NMOS和PMOS的噪声问题

muyu0786 · 发表于 2011-4-6 16:58:36

就一句话，导电的是电子还是电流就决定了他们的1/f噪声的区别。你看1/f 噪声的原因是电子被.....俘获...
P ...
zhongbo1127 发表于 2010-5-27 22:16

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这属于总结

roger_forever · 发表于 2012-4-27 13:58:49

。。。。受教了

gadflybook · 发表于 2012-4-27 14:40:42

拉杂为的书上说，理论是这样的，但是在现实中却始终没有看到呢？

yangxiaolan1 · 发表于 2013-8-13 10:51:57

o 那对于高频噪声性能，二者是一样的吗

hszgl · 发表于 2014-1-12 18:18:47

就一句话，导电的是电子还是电流就决定了他们的1/f噪声的区别。你看1/f 噪声的原因是电子被.....俘获...
P ...
zhongbo1127 发表于 2010-5-27 22:16

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这个太扯了。。

hei123 · 发表于 2014-6-15 15:42:07

这是一个很好的话题，通常早期工艺，pmos属于是埋层器件，即poly采用了N type的工艺。
这样mobility fluctuations成了主要的噪声源。然而nmos是表面沟道，存在这表面现象的trapping and detrapping of the number of charge carriers。也可以简单理解为导流层远离表面的器件噪声小，不过现在使用了新工艺，能做到nmos的噪声和pmos的噪声一样低的水平，这大大提高了逻辑线路的设计空间。

hei123 · 发表于 2014-6-15 15:42:56

楼上那个blackbird 发了写乱七八糟的paper..

ygyg100 · 发表于 2014-6-16 09:59:40

这是一个很好的话题，通常早期工艺，pmos属于是埋层器件，即poly采用了N type的工艺。
这样mobility fluct ...
hei123 发表于 2014-6-15 15:42

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您说得“早期工艺”大概是什么尺寸的工艺？

tf001 · 发表于 2014-8-6 16:03:03

谢谢大神们，终于明白了

chenximing · 发表于 2014-10-17 10:52:27

回复 10# blackbird

有病！！！！！！！！！

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