请教高温工艺

hszgl · 发表于 2014-2-15 19:33:29

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主流CMOS工艺一般都支持-40~125度，有哪些代工厂有高温工艺？请教。
看到TI有特殊器件可以工作在-55~210度范围，不知道这样的器件还是不是CMOS工艺做的，有没有人了解的？

cuizhenghao · 发表于 2014-2-18 20:05:01

有的工艺厂有支持高温的工艺。比如xfab有-40~175度的工艺。据我所知，主要是model是在什么温度范围验证的，对于silicon来说温度高了可能还好，model不准可能是主要问题吧。你再多了解了解哈，我就知道这些啦！

hszgl · 发表于 2014-2-19 20:36:19

回复 2# cuizhenghao

谢谢哈
CMOS工艺恐怕还是不太适合用在高温下，杂质扩散、热稳定性、器件老化恐怕都是问题。不然你想CPU要超频干嘛还得加水冷甚至液氮呢。。。

li_12345654 · 发表于 2014-4-1 14:48:07

CMOS 的的确不适合做温度太高和太低的应用。一般器件很难超过125‘C。材料的禁带宽度就那么大，很难支持超高温度。

hszgl · 发表于 2014-4-1 19:44:52

回复 4# li_12345654

但是搞汽车电子这块就比较麻烦啊，应用面那么广，而且要求成本够低，拿宽禁带去做汽车电子就太大材小用了。xfab的up to 175应该很受欢迎，不知道国内什么时候能开发出更高的工艺。

lodestar6666 · 发表于 2014-4-9 21:34:05

xfab的高温工艺应该是SOI材料的，普通单晶硅材料高温工作有困难。

hszgl · 发表于 2014-4-10 00:03:23

回复 6# lodestar6666

原来如此，谢谢告知！

ygyg100 · 发表于 2014-4-10 09:01:46

回复 6# lodestar6666

请教一下，二氧化硅的导热性能比硅差很多，为什么高温工艺用SOI？是什么原因啊？

lodestar6666 · 发表于 2014-4-11 14:27:57

回复 8# ygyg100

SOI材料还是硅衬底，只是加了很薄的一层二氧化硅。
用二氧化硅做完全隔离，没有漏电的影响，因此可以工作在高温。
普通硅材料做的器件PN结漏电流随温度增加而快速增加，高温下超过正常工作电流，导致器件失效。
论坛里有本书可以参考http://bbs.eetop.cn/thread-254541-1-1.html

ygyg100 · 发表于 2014-4-14 09:24:02

回复 9# lodestar6666

长知识了，谢谢！

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