powermos电流分布问题

ygyg100

回复 10# qianjun526


   用的工艺？PMOS和NMOS面积分别多大（不计PAD面积）？几层金属？

大江南北

回复  qianjun526


   用的工艺？PMOS和NMOS面积分别多大（不计PAD面积）？几层金属？
ygyg100 发表于 2014-4-10 10:11

                               
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    charted工艺，4层，PAD放在器件上 NMOS AREA=573*1189 PMOS=650*1179 4层

ygyg100

回复 12# qianjun526


   不是问你是哪个公司的工艺，L最小尺寸？普通CMOS工艺？BCD工艺？有没有外延？
   还有封装形式是什么？wire bonding吗？wire是铜还是金？直径多少？

zixi_2012

学习了

大江南北

回复  qianjun526


   不是问你是哪个公司的工艺，L最小尺寸？普通CMOS工艺？BCD工艺？有没有外延？
...
ygyg100 发表于 2014-4-10 11:36

                               
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        LDMOS，L采用最小尺寸，gold bonding

ygyg100

回复 10# qianjun526


   你的线宽应该够了，因为管子并不是一直开的，还有关的时候，相当于金属上面不是持续1.6A电流，而且你的管子一半上面盖了top metal承担1.6A没问题，另一半没有top metal的承担的电流就只有一半了，也就是800mA。但是看不到你的具体布局，这是我的猜测。
另外感觉你的管子面积有点过大了。当然只是感觉，还要看你的封装是什么具体情况。

大江南北

回复 16# ygyg100


    非常感谢ygyg100
    很抱歉我传不上图片，试了几次都不行，其实就是一个叉指结构，整个MOS都放上相关PAD
    我想问的是封装和计算power mos的电流密度有什么联系，因为我都没考虑这些，只考虑金属布线
    另外你说没有top metal的那端是一半的平均电流？这样说来这个power mos结构可以承担1.9的平均电流了
    因为design开始要求是2A的平均电流，由于封装要求，die的面积受限，才降低要求

ygyg100

回复 17# qianjun526


   你问一下是什么封装，是打线的，还是倒装的，如果是打线的，线的电阻也要考虑。还有封装的热阻，影响散热能力。
   2A电流的不好做，很难做到最优性价比。1.6A相对好一些。

   关于电流密度，还是得看你的图才能确定，论坛可以上传图片的，估计你没弄对吧，找个人帮你看看。

大江南北

回复  qianjun526


   你问一下是什么封装，是打线的，还是倒装的，如果是打线的，线的电阻也要考虑。 ...
ygyg100 发表于 2014-4-10 17:26

                               
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    再次感谢ygyg100
   powermos对我来说一直好多东西不清楚
   design也只是看rdson就ok

巍峨山

POWMOS要求比较高