帮我看看这是神马器件的版图 谢谢啊

andy2000a

回复 20# 飞驰的小马

這是類似 同步整流方式  須要 很大 driver 能力去推 nmos ,而且 nmos RDS 要低的話會很貴
, 以前使用過  6ms  9ms Rds_on mos .真的不便宜阿.
一般來說 bridge 多是 ac/dc  很多都是 400v 起跳  ,我看到9V to 72V Operating Voltage Range
但看網頁

  Applications  

• Security Cameras
• Terrestrial or Airborne Power Distribution Systems
• Power-over-Ethernet Powered Device with a Secondary Input
• Polarity-Agnostic Power Input
• Diode Bridge Replacement

=> 原來 POE

可能是電壓低 但大瓦特如 48v  大電流的 power over ethernet .  
不是AC/ DC 使用 方式 .  說真的換BRIDGE 取代DIODE 方式 當然可降低損耗但是 太貴,

一般 ac/dc 會輸出端併 schottky  diode 就是降低  volt drop ,  Vd=0.7  直接改使用 schottky  vd=0.2~0.3
改使用MOS  一般是   ~mv .得看 Rds * I
而且 很多FLYBACK 跟本沒有 使用 同步整流方式 , 因為只增加 1~2% 效率
花太多錢, 只有 拼 85% ~90% 那類高單價POWER SUPPLY才看過使用 同步整流方式. 一般都不使用 ,

不過 90v 應該是 LDMOS process ..
google linear tech 好像有 0.35um BCD .不過 不知道是否耐壓 90~100v .

飞驰的小马

回复 21# andy2000a


    哇塞，真的很谢谢你的指点
    这个芯片很新，它的研发价值我感觉也不是很明显……  不过碰巧手头有这个的版图，就想提出来研究哈……结果发现里面很多器件不常见，就发出来请教下你们
   芯片的频率datesheet上频率范围在DC to 600Hz，输入–3V to 80V，输出9V to 72V，您的意思是这个是耐高压的LDMOS之类？  
  再次感谢

andy2000a

一般MOS PROCESS
0.5um  5v
0.18um  2.5~3.3v

耐高壓到 80~90v , 如果不是LDMOS
那 gate oxide 要多厚?   連一般 外面POWER MOS  4n60 .    gate 也耐不到如此高
要耐  80~ 100v  都算UHV 類
500v~800v 是常見, 比較少  100v   125v  ..OKI有類似
但沒使用過.

當然還有 更高壓 , IGBT 有些 1000v

ygyg100

M就是这个管子的衬底吧，那么B为什么和S在同一F框里面呢；如果说这个F框才是MOS管的BUCK，那么 ...
math123 发表于 2014-3-6 18:19

                               
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这个应该是BCD工艺吧，BCD工艺不同的foundry差异很大，现在没有更多的信息，只能是推测了。
如果是P型DEMOS，你图中的M区域不是它的bulk，而是D端耐高压的漂移区。F是bulk（但是奇怪的是F是有源区掺杂形成的），B和S在F里面也就不奇怪了。

你说的S和F其他地方应该是合并的，这个不一定。

你重新截个图，把管子周围更大范围给大家看看。

飞驰的小马

回复 24# ygyg100


    我查了下芯片数据，这是CMOS工艺，PL约1.7um……另外图中大量出现了共用你之前描述的D端的器件，如图 poly层和金属连接

飞驰的小马

回复 23# andy2000a

     我查了下芯片数据，这是CMOS工艺，PL约1.7um……另外图中大量出现了共用其中一端的器件，如图  poly层和金属连接

tfjim

扩展漏端MOS

飞驰的小马

回复 27# tfjim


   

ystwyfe

没有看懂是什么东西

飞驰的小马

回复 29# ystwyfe