帮我看看这是神马器件的版图谢谢啊

飞驰的小马 · 发表于 2014-3-5 11:11:27

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依次为染色层 poly层 M1 M2
谢谢啊

ygyg100 · 发表于 2014-3-5 11:41:27

貌似就是个DENMOS（Drain Extended NMOS），就是Vds可以高压的NMOS。当然也可能是PMOS，没有更多的信息去判断。

semico_ljj · 发表于 2014-3-5 13:32:18

继续seeing

飞驰的小马 · 发表于 2014-3-5 16:02:41

回复 2# ygyg100

谢谢指点啊，但是源漏栅那些怎么确定呢？再次谢谢啦

math123 · 发表于 2014-3-5 16:47:44

本帖最后由 math123 于 2014-3-5 16:49 编辑

应该是NPN吧，从下到上分别是C E B，其中E和B的位置还要根据电路再确认下

ygyg100 · 发表于 2014-3-5 16:57:56

从覆盖的poly看应该是MOS。
三排孔从上到下依次是B、S、D。中间poly是G

math123 · 发表于 2014-3-5 18:33:32

本帖最后由 math123 于 2014-3-5 18:37 编辑

从覆盖的poly看应该是MOS。
三排孔从上到下依次是B、S、D。中间poly是G
ygyg100 发表于 2014-3-5 16:57

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没看见poly引出的一端。。。如果是高压NMOS的话，衬底图片S与poly交叠那里没看见自对准的线啊；BUCK端接进有源区了，该接衬底才对；漏极应该有个HV_WELL的扩散吧。
楼主，你这个是多少电压的芯片，poly那端接到什么地方？

ygyg100 · 发表于 2014-3-6 09:41:51

gate poly的引线孔很明显啊。
B端不一定是衬底。如果是NMOS，S端和B端可能是做在NW里的PW里。

楼主，管子周围的poly是连到地的还是连到电源的？

eetop.cn_poly层.jpg

飞驰的小马 · 发表于 2014-3-6 15:26:52

回复 8# ygyg100

谢谢谢谢
该管子周围的poly是接到VDD的啊，
另外请问栅上盖金属是干嘛的呢？

飞驰的小马 · 发表于 2014-3-6 15:34:21

回复 7# math123

中间那一坨ploy最终接到了其他mos管的栅极，然后芯片电压最高在70v左右。那有必要做高压mos吗？

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