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[讨论] 请教高温工艺

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发表于 2014-2-15 19:33:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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主流CMOS工艺一般都支持-40~125度,有哪些代工厂有高温工艺?请教。
看到TI有特殊器件可以工作在-55~210度范围,不知道这样的器件还是不是CMOS工艺做的,有没有人了解的?
发表于 2014-2-18 20:05:01 | 显示全部楼层
有的工艺厂有支持高温的工艺。比如xfab有-40~175度的工艺。据我所知,主要是model是在什么温度范围验证的,对于silicon来说温度高了可能还好,model不准可能是主要问题吧。你再多了解了解哈,我就知道这些啦!
 楼主| 发表于 2014-2-19 20:36:19 | 显示全部楼层
回复 2# cuizhenghao


    谢谢哈
    CMOS工艺恐怕还是不太适合用在高温下,杂质扩散、热稳定性、器件老化恐怕都是问题。不然你想CPU要超频干嘛还得加水冷甚至液氮呢。。。
发表于 2014-4-1 14:48:07 | 显示全部楼层
CMOS 的的确不适合做温度太高和太低的应用。 一般器件很难超过125‘C。材料的禁带宽度就那么大,很难支持超高温度。
 楼主| 发表于 2014-4-1 19:44:52 | 显示全部楼层
回复 4# li_12345654


    但是搞汽车电子这块就比较麻烦啊,应用面那么广,而且要求成本够低,拿宽禁带去做汽车电子就太大材小用了。xfab的up to 175应该很受欢迎,不知道国内什么时候能开发出更高的工艺。
发表于 2014-4-9 21:34:05 | 显示全部楼层
xfab的高温工艺应该是SOI材料的,普通单晶硅材料高温工作有困难。
 楼主| 发表于 2014-4-10 00:03:23 | 显示全部楼层
回复 6# lodestar6666


    原来如此,谢谢告知!
发表于 2014-4-10 09:01:46 | 显示全部楼层
回复 6# lodestar6666


   请教一下,二氧化硅的导热性能比硅差很多,为什么高温工艺用SOI?是什么原因啊?
发表于 2014-4-11 14:27:57 | 显示全部楼层
回复 8# ygyg100

SOI材料还是硅衬底,只是加了很薄的一层二氧化硅。
用二氧化硅做完全隔离,没有漏电的影响,因此可以工作在高温。
普通硅材料做的器件PN结漏电流随温度增加而快速增加,高温下超过正常工作电流,导致器件失效。
论坛里有本书可以参考http://bbs.eetop.cn/thread-254541-1-1.html
发表于 2014-4-14 09:24:02 | 显示全部楼层
回复 9# lodestar6666


   长知识了,谢谢!
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