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楼主: hyleeinhit

[求助] 直接连接OTA到pad,结果会如何?

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 楼主| 发表于 2014-1-23 12:20:57 | 显示全部楼层



我刚才理解错了,你的意思是用ESD rule layout管子,我还是第一次听说,能大概讲讲吗?请指教。
发表于 2014-1-23 13:22:34 | 显示全部楼层
回复 11# hyleeinhit


    p6和n1的drain端的active拉开一些,每种工艺的ESD rule不一样,有的process需要拉开6um。有可能还会建议在drain端再盖一层rpo。
发表于 2014-1-23 14:29:52 | 显示全部楼层
本帖最后由 hszgl 于 2014-1-23 14:33 编辑

回复 8# hyleeinhit


    寄生电容电感的值请参考权威数据。你的OTA是中间节点,最终输出端指的是你的整个芯片处理完的信号输出端,这个端口一般都带有buffer,驱动能力强,信号能量大。对周围会产生干扰。
    Wire之间的距离虽然更大,但相比之下长度也要长的多,电感量/互感量也更大。不是只有电容耦合会串扰,互感耦合也会(考虑一下“天线”)。此外,在做精密信号处理的时候,芯片内部的信号线也要做成微带的形式,防止串扰。
    顺便提醒一下。CMOS工艺中,Diode是横向的,电流容限需考虑的是内部区域的周长而不是面积。查找一些数据证明你的ESD结构的电流容限足够,面积有限的话,可以做成梳形。
发表于 2014-1-23 14:31:28 | 显示全部楼层
回复 12# tmdyumf


    亲,N1和P6不是ESD管,你这样搞的话,这个OTA就挂了。
发表于 2014-1-23 17:21:17 | 显示全部楼层
回复 14# hszgl


    我当然知道这个p6,n1不是ESD管子,但是ESD打死的却是这两个管子。

    你确定这样做OTA会挂掉吗?

    你们公司的ESD没有这种要求吗?
发表于 2014-1-23 22:12:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 andy2000a 于 2014-1-23 22:22 编辑

esd cell 目地是當發生 esd , 電流流去 esd . 避免留到 core circuit ..但往往 是同metal 下再 ESD 還沒ON
前內部 core circuit 已被打穿

如果你是須要 bonding 出來就使用 IO/ESD rule ,以免生產時掛掉
到時發生 漏電你會無法判斷
到底是本身電路失敗 ?  還是因為 ESD 漏電而失敗 ,
因為你這電路應該不確定是否 OK 才會多 PAD .

最好方式是把內部信號使用 buffer 推到 IO PAD ..至少可以確保不是ESD 漏電使電路失敗 .

bonding(压焊)寄生电容电感一般有多大
=> sop8 ~ sot23 package  电感 一般是 2n ~
但是 BONDING WIRE越長電感越大還有 一般是 1mil  也有 0.8mil

AMI06 process 是那家 Fab ??
 楼主| 发表于 2014-1-24 00:17:18 | 显示全部楼层


回复  hyleeinhit


    寄生电容电感的值请参考权威数据。你的OTA是中间节点,最终输出端指的是你的整 ...
hszgl 发表于 2014-1-23 14:29



非常实际的意见啊,多谢!
 楼主| 发表于 2014-1-24 00:19:35 | 显示全部楼层


回复  hszgl


    我当然知道这个p6,n1不是ESD管子,但是ESD打死的却是这两个管子。

    你确定这样 ...
tmdyumf 发表于 2014-1-23 17:21




有益的讨论,受教了。
 楼主| 发表于 2014-1-24 00:23:18 | 显示全部楼层


回复  tmdyumf


    亲,N1和P6不是ESD管,你这样搞的话,这个OTA就挂了。
hszgl 发表于 2014-1-23 14:31




我觉得hszgl是如果不使用ESD保护的pad(以避免漏电流影响)的话,需要把N1 P6在layout上做适当保护。而你的意思是不赞成使用无ESD保护的pad,如果这样的话N1和P6会挂掉,即使把N1和P6在layout做适当的ESD保护也不行,对吗?
 楼主| 发表于 2014-1-24 00:30:43 | 显示全部楼层


esd cell 目地是當發生 esd , 電流流去 esd . 避免留到 core circuit ..但往往 是同metal 下再 ESD 還沒ON
...
andy2000a 发表于 2014-1-23 22:12



嗯,是啊,所以我才讨论漏电流的影响,如果影响大的话就用无ESD保护的pad,直接一条线把信号连出芯片。不过通过大家的讨论,我发现,漏电流顶多10nA,对500nA的OTA应该不会造成驱动能力不够的问题。另外我也在考虑寄生电容电感的影响。关于寄生效应,官方给出这个链接http://www.mosis.com/pages/products/assembly/index
在最底部表格里,bonding寄生电感是几个nH,跟你给出的值接近,但是bonding寄生电容只有0.2 pF,真是出乎意料的小了。另外我版图提取(EXtract)发现pad金属走线寄生电容不到1pF,即使加上ESD保护作用的diode的寄生电容,也不到1pF,这样总寄生电容也只有1~2pF,真是出乎意料。你了解的话能说说嘛?
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