请教工艺角中的SF和FS

hszgl

回复 40# kwankwaner


    同学，睁眼说瞎话就是无耻了。

   
    首先，我已经承认自己的理解有偏差。然后，请找出我说的“迁移率不变”这5个字。
    您老的眼神和阅读能力真的是犀利啊！

   
    沟道浓度的量级以及浓度变化引起迁移率变化的量级关系我都给你写出来了，你视而不见，红字的问题以及我刚才问的数据证据你都故意回避。
   
    我说我都已经把答案写在下面了你还有啥好回避的？因为你不回避就有可能得出10%的浓度变化会引起10%的迁移率变化，同学，我告诉你这个是有可能的——但是在多晶硅栅上。mos管模型里的u0关注的是沟道里的u0好不好？沟道浓度是我也给了你数据了，你怎么不自己去查一下？估计我说的那个很冷的笑话你压根读不懂。

   
   
    看看这些胡言乱语，估计没有人看得懂你在扯些什么，我来帮你解释一下你的论点：浓度会变+迁移率会变=因为浓度变化导致迁移率变化。这就是你说的1+1=2？我怀疑你是不是学过半导体物理。

   
    这段话集中的展示了你不仅无耻，而且无赖：
    1.用“迁移率会变”这个观点替代掉你原来所强调的“u0变化由且仅由u0引起”这一错误观点，偷梁换柱，转移目标。
    2.完全脱离我的原话，扭曲我的观点，把“迁移率不变”这帽子扣到我头上，然后就容易打击了。你用模型来证明原理已经犯了把儿子当爹的错误。贴上表格的实际目的是为了通过展示u0变化来证明“掺杂浓度变化是引起u0的变化的唯一原因”，还是玩偷梁换柱，呵呵。
    3.你真的很能睁眼说瞎话。

    sf和fs的理解错误我早就认了，你大可揪住这点对我free fire，我只有认栽的分。可是你自作聪明要找别的茬，那不好意思，没这么容易。
    专家说的词就是词汇就是专业词汇？专家也会爆粗的好吧？为什么不专业我已经和你解释过了，老玩选择失明有意思么？
    指出我的错误我表示感谢，你的《大家来找茬》玩的很好我赞一个，你耍混抵赖我也不客气。说脏话污染环境，自觉编辑掉不过是个把扔在垃圾桶外面的垃圾捡起来扔回去的动作，这个居然和隐私有关系？OMG，你对隐私的理解可真是高深莫测啊。
    字体放大是因为自己沉不住气了吧？别扯什么让我看清楚，是我有曲解了你的意思还是故意漏掉你的解释？得了吧，你有多少有用的解释能让我漏的？只有你一直在玩失明好吧？

    你太nb，我扛不住，拱手认输。

liandre

两位在做哪块？PIE ？ DEVICE modeling ？ 还是 电路设计？谢谢

jiang_shuguo

有这功夫搞会别的吧，别争论了，这个没有是与非。

kwankwaner

回复 41# hszgl


   除了人身攻击还会点别的吗？我给你举了这么多证据，还不接受，自己除了张没用的表格没有任何证明你观点的东西，光凭嘴说有什么用啊？  “迁移率的±10%是不可控量，在10^15的浓度下，高出差不多一个量级的浓度变化才能改变1个单位的迁移率，这就是我说的“影响有限”有什么干货能证明你这1个单位的观点啊，1个单位是你自己定的量吗？下面是摘抄
“专家说的词就是词汇就是专业词汇？专家也会爆粗的好吧？”没看见专家爆粗，只看见你爆粗了，你让别人看书，现在你嘴中的书又被你说成这样，你真是随心所欲评价别人啊
“用“迁移率会变”这个观点替代掉你原来所强调的“u0变化由且仅由u0引起”这一错误观点”你把中文好好练练什么叫u0变化由且仅由u0引起，我既没说过，也看不懂你说的这种语义不通的话。


一会承认自己不了解，一会承认有错误，一会说理解有误差，一会再冒出点脏字，你真是敢作敢为啊，能有点正常逻辑吗，错误率这么高哪句可信啊，跟你说话真是累啊

adccoltd

还没吵完呢，觉得是人不爽就直接骂他，觉得是学术问题没有一致看法就agree to disagree算了，不能指望别人都是对的，对不？别掺着来，学术理不清，架也吵不爽

hszgl

回复 44# kwankwaner


    你要干货？呵呵，你居然还会要干货。你看书不是很在行的么？
    刘恩科的《半导体物理学》图4-13和4-14，以及4.4.1节第二段第一句话。为了不麻烦你翻书，我截图贴上，不用客气。
   
    记得去买跌打止痛膏。
     “u0变化由且仅由u0引起”这句话应该更正为“u0变化由且仅由杂质浓度变化引起”，昨天编辑的时候心急，不小心打错了，多谢指出失误。这句话是原帖上一段中“你的论点：浓度会变+迁移率会变=因为浓度变化导致迁移率变化。”以及下一段中“掺杂浓度变化是引起u0的变化的唯一原因”的同意表述。如果你真的要翻案，你应该直接针对这些命题证伪推论，而不是找一句明显失误打错字了话发飙。不过你一向找不准重点，这是你的特色。
    “无耻”和“无赖”是对故意视而不见、扭曲他人原意以及偷梁换柱以掩饰自己错误这些行为的客观评价。如果你没那么做，我说你“无耻无赖”才叫人身攻击。
    你已经多次把技术层面争论转移到毫无意义的语义和逻辑抨击上，如果你还想继续这么搞，不好意思，我就不奉陪了，你自个慢撸。

kwankwaner

回复 46# hszgl

我贴的10e15以后迁移率随浓度显著变化你没看见么，你知道工艺掺杂浓度时多少码，你的图10e18浓度左右迁移率怎么就不能有变化？你敢把Y轴换成线性坐标吗？
   给你摘抄此文章的图
    Comparative Analysis of Mobility and Dopant Number Fluctuations Based Models for the Threshold Voltage Fluctuations Estimation in 45 nm Channel Length MOSFET Devices in the Presence of Random Traps and Random Dopants

迁移率一个随杂质数量的变化，一个随深度的变化
类似的建模文章还有很多，讲的从0.35um-60nm的工艺杂质浓度都在10e18以上，凭什么掺杂浓度不能使迁移率变化？

这是你说的“ “u0变化由且仅由u0引起”这句话应该更正为“u0变化由且仅由杂质浓度变化引起”，昨天编辑的时候心急，不小心打错了，多谢指出失误。这句话是原帖上一段中“你的论点：浓度会变+迁移率会变=因为浓度变化导致迁移率变化。”以及下一段中“掺杂浓度变化是引起u0的变化的唯一原因”的同意表述。如果你真的要翻案，你应该直接针对这些命题证伪推论，而不是找一句明显失误打错字了话发飙。不过你一向找不准重点，这是你的特色。"
我就问你，我哪个帖子那句话说过“u0变化由且仅由杂质浓度变化引起”了？你到底是打错了还是哪里有问题？说话能准确点吗？你把这个当做我的论点我能不问你吗，这叫不找重点？你都歪曲我的论点了还不叫重点？问了你，你又说心急打错，你别总一会这个打错一会这个说错，还有对的吗，你干嘛心急？心急也是借口？ 你说话缺少逻辑和可信度，我指出来你却说“故意视而不见、扭曲他人原意；毫无意义的语义和逻辑抨击上”，我给你各种证据，向你提各种问题你却避而不答，到说起我来了.
你说" 这段话集中的展示了你不仅无耻，而且无赖：    1.用“迁移率会变”这个观点替代掉你原来所强调的“u0变化由且仅由u0引起”这一错误观点，偷梁换柱，转移目标。...."刚才我已经说了，我哪个帖子那句话说过“u0变化由且仅由杂质浓度变化引起”了？你不仅打错（不知是否故意）还歪曲我的观点，然后你说““无耻”和“无赖”是对故意视而不见、扭曲他人原意以及偷梁换柱以掩饰自己错误这些行为的客观评价。”我问你，到底是谁无耻，是谁无赖？

hszgl

回复 47# kwankwaner


      我把上一层楼的贴子删了，废话太多。
      麻烦请你回去把你发的这篇文章看懂了再说话。你贴的图用来打你自己的脸挺好使的。

      如果你认为之前贴子里你有提过什么技术问题我没有回答，烦请再列一次，我一次性回答。
      非技术性问题请回顾41L，以后任何和技术无关的话题我不会再响应。

zakxue

涨知识了

2012niuren

dehaohaoyanjiuyixia