反型层的电子来自哪里？？

JoyShockley · 发表于 2013-11-16 15:27:20

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记得以前在学半导体物理时，谈到mos结构（无源级和漏极），谈到这种结构反型时，似乎反型层电子也是由衬底提供。
但是后面学analog NMOS的中反型层的电子来自源级？

想问，究竟反型层电子是怎么来的

xjf20072608 · 发表于 2013-11-16 16:39:33

导电沟道下面的耗尽区

344567112 · 发表于 2013-11-16 21:53:07

本帖最后由 344567112 于 2013-11-16 22:06 编辑

MOS管由源极提供，没有源漏的MOS电容由衬底提供，半导体里讲MOS电容就是用的这种结构。总之，只要有源漏就是源漏提供，即最容易得到电子的地方。

ppboyindream · 发表于 2013-11-16 22:22:13

3楼说的很对，就是这样的。

heeda · 发表于 2013-11-17 01:55:16

mis的结构电极接M和Semi，mos结构接G和source。但都是先耗尽，再反型

cyl · 发表于 2013-11-18 09:32:14

无源漏的是mis结构，和mos有些不同的

zcqzxczxc · 发表于 2013-11-18 15:57:25

反型层的载流子从源漏端来。可以考虑如果没有源漏端，只有一个metal-oxide-semi的结构的话，电极加偏压，表面的载流子是半导体的少子，形成速度慢，一般情况下10^-3s。这也是为什么C-V曲线为什么在高频下不会反弹的原因，因为来不及形成反型层。而实际的mosfet的工作频率完全可以超过Khz，Mhz。从这一点可以说明反型层的载流子不是从衬底来，而是从源漏来。

hszgl · 发表于 2013-11-18 19:22:57

楼上说的比较详尽，顶一个。

JoyShockley · 发表于 2013-11-18 19:25:56

本帖最后由 JoyShockley 于 2013-11-18 19:29 编辑

回复 7# zcqzxczxc

漂亮！再请问下，为什么这两种结构的Vth的表达式一样？？？

ygchen2 · 发表于 2013-11-18 23:39:57

个人觉得，并不见得分得清具体电子是哪里来的，即使在MOS结构中多种来源都是同时存在的，只是那边电子多且容易进入沟道，在沟道反型条件出现时，可能那边就是沟道反型层电子的主要来源。。。

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