谁能具体讲解一下“埋沟”器件。

Can_do_go · 发表于 2013-11-7 15:20:05

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最好能附上图。或者有这类资料发一下。万分感谢啊。被折磨的要死~

这是百度搜到的：

【埋沟器件一般应用在0.25um及以上技术的. 最关键的原因是为了节省制造成本的考虑, 对NMOS和PMOS的poly 都用N+ poly. 对NMOS当然没问题, 但对PMOS来说由于N+ poly 与P衬底之间功函数不同, 导致PMOS Vt离目标
偏差较大. 这样的话为了调整Vt, 就需要进行离子注入(一般是B)来调整Vt. 但是这种方法的趋夫效应，
就是使导电沟道在表面之下, 即形成所谓的埋沟. 然而在0.18um及更先进技术的话这种方法导致的短沟道效应会越来越严重, 会产生漏电压升高等问题.因而为了消除这种情况现在制造时都是采用双多晶硅 (尽管成本会上升).】

Can_do_go · 发表于 2013-11-7 17:55:37

顶顶顶

Can_do_go · 发表于 2013-11-11 11:48:52

顶顶顶顶~~~

lhfy · 发表于 2013-11-14 13:15:35

回复 3# Can_do_go

据说buried-channel的代表是JFET

Can_do_go · 发表于 2013-11-14 16:47:23

回复 4# lhfy

。。。资料下不下来啊。总是卡在百分之66就不动了。

lhfy · 发表于 2013-11-15 10:43:30

回复 5# Can_do_go

是你网络问题吧，完全正常啊

hei123 · 发表于 2014-6-15 15:17:39

多谢提供资料。

苹果核0lson · 发表于 2021-10-17 21:29:02

感谢分享

zhumingzhu · 发表于 2021-11-23 00:58:28

学习了

a819545222 · 发表于 2022-3-6 21:01:04

学习了

[求助] 谁能具体讲解一下“埋沟”器件。

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