低电压电流基准

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 22:40:15

回复 26# ygchen2

发现我也没说banba cell悬。我就说Banba cell is very sensitive to mismatch。基准电路中他是最敏感的对offset，mismatch。

ygchen2 · 发表于 2013-9-3 22:45:13

回复 41# jiang_shuguo

觉得对mismatch敏感度好像与其它bandgap类似，尤其是没有headroom问题的情况下。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 22:46:22

回复 40# ygchen2

所以我的结论是这个0.9V的bgr用个低压op做是可以。但用mirror ，不建议，而且电压余度不够。关键是低压的op，像前面有人说了input 管用depletion mos就可以实现低压op。你以前做的那个bgr用op的话肯定比你mirror的性能好。但是你那个不重要，差点无所谓

。

ygchen2 · 发表于 2013-9-3 22:47:46

回复 32# jiang_shuguo

为啥不可以用PMOS对做输入呢。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 22:48:19

回复 42# ygchen2

你把常见的bgr结构中offset对VREF的影响都算一下，就知道了。

，除非你其他结构都用mirror。

ygchen2 · 发表于 2013-9-3 22:49:28

回复 43# jiang_shuguo

不反对。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 22:49:56

回复 44# ygchen2

，余度不够哦。他用的是7管的放大器。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 22:53:41

回复 46# ygchen2

Banba cell is very sensitive to mismatch。我这个结论是有依据的，虽然我没有都推过，但我见到了所有基本bgr推完后的结论，所以我不是忽悠你哦。其实不用推倒，不同结构分析下就看出这个banba cell的弊端了。

ygchen2 · 发表于 2013-9-3 22:54:55

回复 47# jiang_shuguo
我当时用的是rail2rail输入的放大器，前面也不需要分压（没有OFFSET放大），还有其它措施改进PSRR。前面提的只是讨论基于常用OP可能的解决放案。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 22:56:26

回复 44# ygchen2

，我算错了，pmos输入可以。

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