求教allen书上第四章一个mos开关的基础问题

wspyl · 发表于 2013-7-11 13:39:18

求指导......

hszgl · 发表于 2013-7-12 00:21:56

回复 10# wspyl

因为正在向栅电容充电。

wspyl · 发表于 2013-7-12 14:21:13

回复 wspyl

因为正在向栅电容充电。
hszgl 发表于 2013-7-12 00:21

登录/注册后可看大图

那他为什么说“注入的电荷只在输入电压源Vs中流动”啊？

hszgl · 发表于 2013-7-13 22:16:17

回复 13# wspyl

我觉得是翻译的问题。不伦不类的。。。

oooeee · 发表于 2013-7-14 14:02:00

恩恩我也是这么认为的，感觉翻译的好蹩脚啊

wspyl · 发表于 2013-7-15 21:45:49

回复 15# oooeee

纠结这么久，原来是书的翻译问题......

disun100 · 发表于 2014-11-3 21:08:42

回复 10# wspyl

是不是因为管子导通的时候（栅电压为高），负载CL已经充满，注入沟道的电荷只有向漏区扩散

sara9233 · 发表于 2015-9-17 16:11:20

关于电容充电的问题，我举得是ron与vgs成反比，source端在电容这段，只有当电容充饱电了，vs取得最大值，vgs=vg-vs有最小值。ron有最大值，此时电容不在充电，所以电流为0,vds=0.

sara9233 · 发表于 2015-9-17 16:19:15

回复 10# wspyl

说下我的理解：首先导通不一定会有电流，这个是对的吧。
当栅压大于VTH，此时电容已经平衡了，Rchannel上没有电流，此时栅压降低，电源会有电流通过VOV流向栅极
当栅压小于VTH，此时电容已经平衡了，Rchannel上没有电流，此时栅压降低，因为管子已经截止了，drain与gate之间的VOV之间有压差，形成电流回路

Andy126 · 发表于 2018-12-17 11:48:45

[求助] 求教allen书上第四章一个mos开关的基础问题

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