如何才能实现耐压（非源漏间）700V？

mmzlv · 发表于 2013-7-4 14:11:06

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选用什么样的工艺，和用什么样的办法，才能实现耐压700v ？比如Deep Nwell 或者埋层什么的实现隔离。
这个电压不是加在源漏间的。

比如说：一部分电路工作在0V~25V（该部分的参考地是0V，电源是25V），另部分电路工作在650V~670V（该部分电路的参考地是650V，电源是670V）。

各路高手新手路过的都来围观。

gao2004j · 发表于 2013-7-4 16:56:10

X_FAB1.0的高压DMOS SOI 工艺可以实现

mmzlv · 发表于 2013-7-5 08:48:28

这工艺也太高端了，xfab 还要soi工艺，有没有大众点，便宜点的工艺呢？

fuyibin · 发表于 2013-7-5 09:01:35

回复 3# mmzlv

天下哪有这种好事，又要耐压高又要便宜
肯定是要高压工艺，你给钱xfab还不一定给做呢
国内的华虹nec去问一下，记得以前说有500V耐压的工艺
标准CMOS工艺几十V就挂了

coronaab · 发表于 2013-7-5 09:48:03

很好奇这个用在哪儿呀？offline ups??

gao2004j · 发表于 2013-7-5 14:34:59

IGBT驱动

843071455 · 发表于 2013-7-5 19:43:24

现在好多家fab都可以做的，要说便宜，估计CSMC的可能便宜点。

semico_ljj · 发表于 2013-7-5 22:45:09

700V的没几家吧

843071455 · 发表于 2013-7-6 09:32:28

没看到楼主写的是非源漏耐压，不过不是源漏耐压，那是什么耐压要那么高啊？

mmzlv · 发表于 2013-7-9 12:52:26

"一部分电路工作在0V~25V（该部分的参考地是0V，电源是25V），另部分电路工作在650V~670V（该部分电路的参考地是650V，电源是670V）。"

意思就是两个地之间要有隔离，而这个隔离要耐600V左右

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