如何才能实现耐压（非源漏间）700V？

zjwumei · 发表于 2013-7-11 09:30:49

使用终端结构

peterlin2010 · 发表于 2013-8-6 11:25:59

700v 很多家有類似

TSMC UMC 新唐旺宏漢磊 Maxchip

MagnaChip to Offer 0.35um Ultra-High Voltage BCD Process Technology for Integrated Smart Energy Applications
=> 都有

要耐高壓MOS 一般 field plate , reSurfe structure ..
或是把 rule 拉很開SIZE 弄很大方式 ..

但是 DIE 大沒競爭力

k200630901 · 发表于 2013-8-6 13:14:21

"一部分电路工作在0V~25V（该部分的参考地是0V，电源是25V），另部分电路工作在650V~670V（该部分电路的参考地是650V，电源是670V）。"

意思就是两个地之间要有隔离，而这个隔离要耐600V左右

heeda · 发表于 2013-8-6 14:02:47

这个电子科大的陈院士是专家啊。

[求助] 如何才能实现耐压（非源漏间）700V？

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