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[求助] 弱弱的求教一个问题,对于pmos管,衬底有时候与源级相连,有时候不连,为何啊

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发表于 2013-6-19 19:58:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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弱弱的求教一个问题,对于pmos管,衬底有时候与源级相连,有时候不连,为何啊?求指导啊
发表于 2013-6-20 08:21:34 | 显示全部楼层
hotwell 与 pmos的饱和导通有关。
 楼主| 发表于 2013-6-20 08:56:02 | 显示全部楼层
回复 2# winsm


   我也听过热阱的说法,貌似需要浪费很大的版图面积,具体也不清楚,可以再说具体一点吗,两种接法非别有什么优缺点啊?
 楼主| 发表于 2013-6-20 08:56:48 | 显示全部楼层
回复 2# winsm


   我也听过热阱的说法,貌似需要浪费很大的版图面积,具体也不清楚,可以再说具体一点吗,两种接法非别有什么优缺点啊?
发表于 2013-6-20 11:01:41 | 显示全部楼层
版图略大,vth略小,隔离电源noise较好;一般应用于input pair
发表于 2013-6-20 13:20:33 | 显示全部楼层
我的理解是这样的:
    对于输入对管是pmos,如果把衬底和源电位接在一起,噪声,PSRR,CMRR会比较好,拉扎维P388页有讲;另外,阈值电压会比较低(衬偏效应小),所以输入共模范围可以比较大;也有一点坏处,你需要一个单独的n阱,因为你这个pmos的衬底并非最高电位VDD,当然不能与其它pmos放一个阱里,要多点面积(其实也不在乎这点面积了)。
    如果衬底接VDD,就没有上述的优点了,当然用一个n阱就可以了。一般要求不高的就这样接(高压工艺可能会有变化)。
 楼主| 发表于 2013-6-20 16:43:16 | 显示全部楼层
学习了,谢谢。。
 楼主| 发表于 2013-6-20 16:44:01 | 显示全部楼层
谢谢,学习了
发表于 2013-6-20 22:08:51 | 显示全部楼层
substrate
发表于 2014-4-3 16:21:10 | 显示全部楼层
貌似明白了,就是一般都接在一起好了
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