请教Psub2的问题，谢谢大侠们！

appleyuchi2

回复 5# 蘑菇要冷静


      谢谢您的回答~
请问下，如果有个电路,，一部分mos的背栅极接GND，另外一部分MOS的背栅极输出负电压-Vin
那请问~我是否在n阱工艺下，把前者的背栅极与psub1短接，后者的背部栅极接psub2来短接来实现这个电路吗？
我的意思是，Psub1和Psub2的用法：两者所接电位是否可以相差几V?谢谢大神们（公司里同事不怎么愿意说，谢谢）~~

appleyuchi2

管理员似乎不让我进行过多的粘贴回复，麻烦以上各位大神能回答下我的问题吗？谢谢

是这样的，有个电荷泵的电路，输出负电压时，是在开关管（也就是类似于芯片内部的那种大型功率管）的背栅极输出的，比如LM2662，也就是芯片运作时，所有nmos的背栅极并没有全部接在相同的电位上，
所以能不能让Psub1接地，让Psub2输出-5V？
如果各位大神都认为不行的话，我觉得那个芯片只能是p阱工艺来做了，谢谢各位~

谢谢！

Rucas

回复 12# appleyuchi2


   如果你用的是双井工艺应该可以

蘑菇要冷静

描述很不清楚，我猜你说一部分NMOS的衬底是接GND  另一部分是接NMOS的源端吧。你需要做的是，衬底接NMOS的源端的那部分用NWELL做个 guard ring围起来，最重要的这两个NMOS之间距离要拉开，是你能提供的最大距离。
psub2做LVS才有用是个MARK层，版图中无任何实际作用。

motofatfat

我看不太懂你ㄉ問題? 背栅极 指 D G S B ㄉ B 嗎?
(我住在台灣海峽ㄉ另一邊)
Psub1和Psub2的用法：一般 NMOS ㄉ B 都是PSUB
為區分 gnda 或 gndd 不同ㄉ地 才有PSUB2 ㄉ出現 騙自己也騙軟體

Psub1和Psub2的用法：两者所接电位是否可以相差几V?
要看這個 工藝 所能提供ㄉ
如3~5 V 工作電壓 , 3V ㄉgnd 和 5V ㄉ gnd 有何不同
要看你的理解了.

peterlin2010

但是有類 nmos 是 isolation ,  bulk 可以等於 source 端..

  layout 來說會有 device + guard ring .
schematic only device  4 node .

appleyuchi2

回复 16# peterlin2010


    听不懂，谢谢您的回答

appleyuchi2

回复 13# Rucas


    谢谢您的回答~我再思考下n阱下能否实现（因为手头只有n阱的工艺库），谢谢！

appleyuchi2

回复 14# 蘑菇要冷静


    谢谢您，我明白psub1和psub2的用处了
想请问下，如果做完guard ring，那么里面的电位可以不是GND吗？比如我设定GND电位为零，那么guard ring里面的（也就是您说的psub上n阱里面做的nmos，）可以是非零电压吗？比如说负电压？
但是这样的话，好像是属于双阱工艺了吧？
我的理解是psub上，用n阱做保护环，里面的nmos也有自己的p型阱
这样就是双阱工艺了是吗？
谢谢您的回答~

appleyuchi2

回复 15# motofatfat


您好，谢谢您的回答~
是的，也就是指的mos的阱

从几位网友的回答看，psub1和psub2应该只是为了软件商处理的方便了~

您好~
我这边的情况是这样的，有个电路（是别人的成品电路，不是自己的），一部分mos的B极接了GND（也就是电势零），另外一部分的mos（大型开关管）接了低电位（电路要求输出负电压）

所以想知道，这种nmos的“阱”电位（在n阱工艺中，芯片大衬底是psub，我这里nmos的“阱”就是指的芯片的整个psub了）不统一的电路，能在n阱工艺中实现吗？（一般情况下，n阱工艺中，所有nmos都以芯片的大衬底psub作为阱，电位一致）谢谢您~

这样的电路在p阱工艺中（因为各个p阱独立，nmos的阱电位可以互不相同）是比较容易实现的，但是我手中只有n阱的相关工艺库，所以想

问，这样的电路在n阱工艺中是否可以实现，谢谢！

还有楼上朋友提到的：在psub里面做n型guard ring，然后再让里面的p阱电位与外面的psub电位不同，这种工艺应该是双阱工艺吧、不再是n阱工艺了吧？谢谢您！