关于latch-up的一个小问题

allen_tang · 发表于 2013-4-22 16:35:43

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下午刚关于latc-up的英文资料，下面这一小段关于limited current latch-up的问题，这段英文看不太明白。
哪位大神帮忙具体解释下，不甚感激！
limited current latch-up.jpg

zhuyujun · 发表于 2013-4-22 16:42:41

本帖最后由 zhuyujun 于 2013-4-22 17:02 编辑

兄弟，这帖子发到电路设计中，回帖的应该多点！呵呵！

allen_tang · 发表于 2013-4-22 16:43:58

回复 2# zhuyujun

低调，低调。。

zj3114122 · 发表于 2013-7-25 11:00:46

同意2楼的建议~~

ANHARTE1982 · 发表于 2013-7-28 15:03:23

IGEN应该就是上面说的LDO，这个LDO的输出从图上看就是一个电压源，QP从图上看应该是一个PMOS，GN端应该就是QP的BODY，因为肼是能用来当电阻的，所以Rnwell的意义，其实就是QP这个PMOS的NTAP电位，当你的TAP电位离你的PMOS距离很远的话，Rnwell这个电阻就会变大，导致GN端的电压比QP的发射极要低，也就是你图上说的VDD是3.3V的话，如果Rnwell足够大，那么GN端的电压很有可能是2V，那么QP这个三极管，发射结反偏，集电结正偏，QP处于放大状态，然后这个结构就被LATCH了！楼主了解了？

allen_tang · 发表于 2013-7-29 08:54:53

回复 5# ANHARTE1982

......呃。
这个不是解释为什么会发生latch，而是解释latch发生后，为什么会导致VDD降低导致function fail的问题。。。

i0977454522 · 发表于 2015-8-3 17:50:07

thank you !

delphyyu · 发表于 2015-8-6 20:32:49

因为LDO能够提供的电流有限，这些电流全部从latch-up的结构流走，使得VDD被箝位到2v左右，导致内部function fail

kkjsj · 发表于 2016-5-26 15:14:02

学习学习

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