关于CMOS工艺中diode的使用问题

nashmvp

最近在做一个产品，需要通过两个二极管来将两组不同的电源系并联，即V1和V2分别通过两个diode连在一起，当一个没电时就由另一个供电，两个同时有电时就以更高的一个供电。
使用时遇到如下几个问题。
1. 二极管有 P diff，N diff，Nwell，native n几种，在使用时应该选用哪种呢，各自在特性上有什么区别？
2. 二极管是不是在任何电压下都是正常工作的，因为不会像MOS管一样有几种特性吧？

谢谢！

qdsoftware

帮顶~~~~~~~~

kwankwaner

回复 1# nashmvp


   建议你用肖特基，很多工艺的二极管都不能正偏的因为电流太大，稍不留意就和周围的地方组成pnp或者npn了，那么collector会流很大电流

xiaowanzi88

肖特基二极管固然是很好，快速开启，但是多一层mask;
其实，从纵向角度看器件，非衬底隔离型二极管，正向导通时候，都是一个三极管，往衬底注入电流，容易引起latchup。如果有隔离型二极管可以考虑使用，但是正向导通电流大小和二极管面积大小需要计算，避免器件局部过热和电流积聚。

lovexxnu

回复 1# nashmvp


   看电源load有多大，load要是大的话二极管应该比较难做，不如用level shift + por

nashmvp

回复 4# xiaowanzi88


    我用的工艺有如下几种二极管，由于二极管是放在电源和电路间的，势必要走较大电流，超过50mA，请问该如何选择呢？还有就是如果用普通二极管如何更好的避免 latch up？MOS管一般会通过打guard ring，二极管也用这种方法吗？

我的工艺有这几种diode：
1. P diff diode
2. n diff diode
3. Nwell Diode
4. Low vt nDiode
5. Low vt pdiode
6. Psub-Deep NWell Diode
7. Pwell-Deep Nwell Diode
不知道哪种更合适？

nashmvp

回复 5# lovexxnu


    负载电流比较大，超过50mA了。
    麻烦指教一下level shift 加por怎么用呢，怎么等效于diode的功能？
    我的目的就是能够让两组电源哪个高就由哪个供电，而且希望压降尽量小，比如我系统供电是电源是5V，而电池供电时电源约3.6V，假设二极管的压降是0.7V，我可以在5V上串联2个二极管，在3.6V上串联1个二极管，这样，负载电路就会工作在2.9V~3.6V。

nashmvp

回复 3# kwankwaner


    肖特基二极管不知道是不是每个工艺都有？我在我的工艺下没有找到这种二极管，而且后边xiaowanzi88 版主 说要多一层mask，产品做好后是要量产的，而这个二极管全芯片可能就用不超过3个，为此多1层mask，量产后每次流片也会贵一些，这样就不太行了。

kwankwaner

回复 8# nashmvp


   他说的带隔离阱的也要多mask的，而且有的工艺这层和肖特基的那层是一样的，而且数字为了防漏电也要用这层，量产的话掩膜费用比制造费就低了啊，当然要看你量。   实际上用mos管代替就可以了啊，你这个不就类似充电宝之类的么

nashmvp

回复 9# kwankwaner


      哦，都会加一层那就无所谓了，我的意思是量产的时候wafer的价格也会和层数有关系，多一层的话wafer价格也会贵一些。
      如果采用mos管做二极管的话，会不会由于负载电路的工作导致压降的变化呢，比如负载重的时候这个二极管接法的mos管压降会大一些，这样相当于负载电路的供电电压就低了，而当负载轻的时候压降小一些，相当于负载电话的供电电压就高了，我的负载电路中有震荡器结构，电压变化会对精度有影响吧？

      另外，我还是没有在工艺中找到肖特基二极管，pcell中有很多二极管比如ndiff，pdiff等等，但是没有看到肖特基的，这个是pcell里会带的吗，还是说我用的这个工艺就没有这种二极管？