请教LDO流片之后的两个问题

luckyhuihui666 · 发表于 2013-2-6 11:14:36

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仿真都没有问题，现在流片之后有两个问题
1.load regulation比较差，随着load加大输出减小，0-1A掉了40mV@1Vout。并且在不同的Vin下掉的不一样，输入越高会有所改善，但是趋势没有变
2.line regulation在5V-6Vin下会突然变差，在2V-5Vin下几乎没有变化
希望做过LDO的大婶指导下小弟，要不没法过年了

wind2000sp3 · 发表于 2013-2-6 12:09:47

呵呵，没法过年这说法太过分了，不至于。
1. 芯片有一个回路，一个输出级。输出的功率管那条线脚Power Line；反馈回内部EA的那条线脚Sense Line。这两条线虽然在电学原理上是同一根线，但是在Physics上，它们算两根线。Layout的时候，你需要做两个Bonding PADs，分别连到这两根线上。

2. 查查你的Vref，我估计是5~6V的时候你的Vref变了。更General点说，你的所有用Cascode架构的第二层的管子有可能有Drain-to-Sub的漏电。这个东西叫Impact Ionization。做这种工作电压高的电路，需要避免电流竞争，多用analog invertor的结构。

如果你还不理解就贴图吧，放心都是小Bug，不过没准需要Full Mask Change，不知会不会让你老板抓狂呵呵。

jeff_zx · 发表于 2013-2-6 12:11:29

本帖最后由 jeff_zx 于 2013-2-6 12:13 编辑

simulation结果是多少？
detail的performance问题，不贴电路没法看。

1只能看看你simulation的时候有没有加bonding的寄生电阻，如果只bond一根线，又比较长，30mo的电阻不是没可能，这样1A就30多mV没有了。大电流低输出电压，一般都会force sense的打线

第2个问题，如果simulation没有问题，建议看看pcm或者spice model的fitting 曲线，看看是不是mos
在5v以上会有明显的上翘，如果是，关键的需要gain的地方，检查device的L，最好用cascode。另外，测试的负载是多少，如果负载重，也要考虑电压高，压差大，芯片内部温度过高

dongzz201 · 发表于 2013-2-6 17:56:08

楼上2位有很深的造诣呀。

luckyhuihui666 · 发表于 2013-2-6 18:46:28

呵呵，没法过年这说法太过分了，不至于。
1. 芯片有一个回路，一个输出级。输出的功率管那条线脚Power Lin ...
wind2000sp3 发表于 2013-2-6 12:09

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谢谢。有FB的pad。所以sense应该是没有问题的。另外您提到的可能原因我再看下，电路拷贝不了，所以抱歉了。

luckyhuihui666 · 发表于 2013-2-6 18:52:32

simulation结果是多少？
detail的performance问题，不贴电路没法看。

1只能看看你simulation的时候有没 ...
jeff_zx 发表于 2013-2-6 12:11

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simulation没有问题，corner下也没有问题，谢谢您的建议，我再仔细查看下，我个人猜测可能layout方面有些问题，电路我拷贝不出来，因为公司内部的资料传不出来。非常感谢您的回复。新年快乐。

semico_ljj · 发表于 2013-2-6 19:38:49

关于2，是用什么工艺实现的，如果是5V工艺，就是设计出了问题，如果是3.3V工艺，那么应该说不是什么大问题。要耐压只能采用Cascode结构

wc19867138 · 发表于 2013-2-6 19:54:58

高手呀楼上的佩服

hezudao · 发表于 2013-2-6 21:02:59

顶二楼三楼

semico_ljj · 发表于 2013-2-6 22:04:12

设计时取样反馈要考虑寄生电阻的影响

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