0.35微米下哪個匹配的更好？

jon007 · 发表于 2013-1-23 13:45:48

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gao2004j · 发表于 2013-1-23 16:18:04

如果考虑匹配的分散性，那上面匹配要好些；如果考虑多晶硅的刻蚀，你就应该DUMMY.两个图的质心都没重合

jon007 · 发表于 2013-1-23 17:28:01

回复 2# gao2004j

那如果上邊的圖也加dummy呢？不考慮面積問題。

bananawolf · 发表于 2013-1-24 05:20:27

只看晶体管，显然是第2个好。
当然，你的版图还有很多需要改进的地方

jon007 · 发表于 2013-1-24 09:37:47

回复 4# bananawolf

能詳細展開說嗎？

bananawolf · 发表于 2013-1-24 11:32:50

1.左右两边的dummy可以再多加2个。
2. 我觉得ploy gate 的co可以转90度
3. 因为你的两个需要匹配的管子很小，所以interdigit的画法对于匹配不会带来实质的好处，只会增加连线的复杂度。

bananawolf · 发表于 2013-1-24 11:37:06

当然这些都只是我个人的理解，说不定也有不正确的地方

duchao881001 · 发表于 2013-1-24 15:22:08

如果考虑离子注入的梯度变化，第一张M1和M2的误差是2δ，第二张是4δ。如果不考虑梯度变化，理我觉得两个效果是一样的，不过第二个连接更简单，在管子很大的情况下，第二种寄生更小。在满足匹配要求的情况下我会首选第二种

nickfury · 发表于 2013-1-26 23:55:00

第二个好些，我们公司，距离是匹配的第一位，cost down也是必然的。什么离子注入梯度的什么的，不是高精度需求统统可以不考虑，M0M1M1M0也不错。

fuyibin · 发表于 2013-1-27 10:40:00

如果考虑离子注入的梯度变化，第一张M1和M2的误差是2δ，第二张是4δ。如果不考虑梯度变化，理我觉得两个效 ...
duchao881001 发表于 2013-1-24 15:22

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不要这么机械的套用几十年前的理论，现在一共才几um ，讲什么梯度？梯度都是在打大尺寸情况下，而且现在工艺远胜于几十年前。

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