关于二阶温度补偿的带隙基准的问题

朱鹮2011 · 发表于 2013-1-7 17:31:33

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此电路图是本人从一篇论文中看到的二阶温度补偿的带隙基准电路，按照论文的叙述，在A(B)点的电压应该是比C点的电压要高一些从而产生从从左向右的正温度系数的电流INL，来补偿Vbe的二阶负温度系数，但是本人仿真的结果却是C点的电位总是要比A(B)的电位
要高几十mV，电流的方向是从右向左，怎么调都是这样，请问各位前辈，这样的电路应该怎样设计…… 二阶温度系数补偿的带隙基准.bmp

semico_ljj · 发表于 2013-1-7 23:20:22

Mark。

selfsalvation04 · 发表于 2013-1-7 23:44:58

哥们能把paper 贴出来吧好好学习学些

AcoAco · 发表于 2013-1-8 02:21:31

I do not see your Q7 transistors M factor for Delta-Vbe creation. Does core really work?

Answering your question: Increasing Q4 transistors M factor or decreasing its emitter current will reduce voltage at node C.

Good luck!

我没有看到您的Q7晶体管M因素的Delta-VBE创建。核心真的有用吗？

回答你的问题：Q4晶体管M因子增加或减少其发射极电流会降低电压在节点C

祝你好运！

朱鹮2011 · 发表于 2013-1-8 09:35:03

回复 4# AcoAco

多谢前辈，Q4的m数增大的话可以使C点的电位降下来……多谢啊！！

z1314007 · 发表于 2013-1-8 20:32:44

其实不是二阶而算是高阶（有个非线性补偿项）吧，应该是这篇：

Curvature-Compensated BiCMOS Bandgap with 1-V Supply Voltage.pdf (129.99 KB, 下载次数: 1278 )

selfsalvation04 · 发表于 2013-1-8 23:05:44

回复 6# z1314007

真心谢谢了，好好学习学习

jxaa024172 · 发表于 2013-1-19 12:19:55

我与楼主碰到同样的问题。按各paper上公式，VEB中有二阶项为(n-m)VTlnT/To，当pnp管电流为PTAT时，n=1，而电流与温度无关时,n=0，因此在图中，B点电压=VEB8应该比C点高约VTlnT/To项才对，但实际仿真得到的结果是C点比B点高几十mV。。因此无论怎么调，这种二阶温度补偿非但不能提高其精度，反倒起反效果。请问楼主最终是如何解决的？

semico_ljj · 发表于 2013-1-19 22:53:42

没遇到过。

as23449510 · 发表于 2013-5-29 11:20:44

我遇到了。。

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