bandgap温度曲线头朝下？还有bjt工作温度范围？

frankobvip · 发表于 2012-11-7 20:50:17

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本帖最后由 frankobvip 于 2012-11-17 09:32 编辑

带运放的带隙基准，运放的两个输入端电位为0.7v左右
可是在vdd=1.8V的情况下，普通两级运放的共模输入电压范围无法包括0.7v这个范围，怎么办？help

我按照如图结构，tt情况下仿真结果5楼图，和期望的状态是相反的，不知道怎么调了

图中显示bjt工作范围是25-125，那么温度低一点就不能正常工作了阿，是不是-25开始，哪位朋友用过阿？

frankobvip · 发表于 2012-11-7 21:18:39

本帖最后由 frankobvip 于 2012-11-17 11:30 编辑

这个结构不实用的话能否推荐个结构，文章什么的，只有1个要求VDD=1.8V
vbe二阶参数跟曲线方向有关，可是设计的时候，npn管设计参数只有1个multiplier，其他都是固定好的吧，然后设计电阻，跟npn串联的阻值控制电流，阻值比控制ppm
这样子的话感觉就无法把曲线调成朝上的了，（为了做论文，真是没有办法阿），我觉得应该是工艺的问题，和设计参数应该没有关系？

banba的结构调整R3阻值的话可以得到不同的输出电压，今天把R3调高了，期望能得到大约1.2V的Vref，结果如下

1.2v的电压曲线就非常正常了,经微调后，ppm可以达到65左右

foxzciori · 发表于 2012-11-8 09:23:45

PMOS输入对管应该能支持VCM=0.7V吧，指标上Vos也很重要。
FYI

frankobvip · 发表于 2012-11-8 11:00:29

回复 3# foxzciori

3q，我今天用lvtpmos差分对管勉强可以工作了。。不知道仿真corner会不会无法正常工作。。。

frankobvip · 发表于 2012-11-8 19:41:50

本帖最后由 frankobvip 于 2012-11-8 19:45 编辑

回复 1# frankobvip

我用的电阻都是rhr1k的电阻，参数如图，

frankobvip · 发表于 2012-11-10 09:17:58

自己顶一下，不知道是不是因为用的rhr1k的原因阿（温度系数是负的），还是因为电路设计不对

ppdown1 · 发表于 2012-11-10 10:47:46

建议加入trimming的结构，要不然很难做准

grusher · 发表于 2012-11-10 10:58:10

1. 参考相同电流密度下的Vbe曲线，Vbe二阶温度系数的正负决定了曲线开口方向。
2. 如果怀疑电阻TC的影响，建议换成理想电阻。

semico_ljj · 发表于 2012-11-10 13:08:36

电源电压1.8V的话，没必要用lvt的器件。普通期间就行了。

semico_ljj · 发表于 2012-11-10 13:09:53

如果电源1.2V以下，才考虑lvt mos

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