关于低功耗设计运放输入管进入亚阈值区的问题

nashmvp · 发表于 2012-8-27 15:38:58

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

最近公司在做低电压低功耗的设计，我做了个低功耗的预放大器，偏置电流在30nA，伪电流源采用了倒比管使得各工艺角下伪电流源都工作在饱和区，但是输入管和负载管全部在亚阈值区了，各个工艺角和温度下仿真运放都能够正常工作，请问这样是否可靠，在实际流片后亚阈值区的管子会不会关断导致无法正常工作？

另外，在使用spectre仿真时可以看到输入管和负载管在subthreshold，即region为3，但是hspice仿真结果只会显示cutoff，请问如何确定这个cutoff是工作在亚阈值区了还是真的关断了？还有就是能否让hspice仿真的结果显示出subthreshold？

谢谢！

nashmvp · 发表于 2012-8-27 16:30:20

很多文章里做低功耗时都会让晶体管工作在亚阈值区，这样做到底可靠性有多高呢，yield稳定吗？

jamesccp · 发表于 2012-8-27 16:36:04

在HSPICE下，我觉得你应该把每个corner的vod=vgs-vth值都看一遍，vod尽量小于 3个VT，（3×26mv）

nashmvp · 发表于 2012-8-27 17:21:19

在HSPICE下，我觉得你应该把每个corner的vod=vgs-vth值都看一遍，vod尽量小于 3个VT，（3×26mv）
jamesccp 发表于 2012-8-27 16:36

登录/注册后可看大图

小于3个VT是要达到什么目的呢？vdsat和vod有什么关系呢，这两个参数哪个决定晶体管的工作状态？

我现在输入对管和负载管的vgs都比vth小，所以p管的vod是正的，n管的vod反而是负的。

谢谢！

semico_ljj · 发表于 2012-8-27 20:08:45

估计量产危险！做做论文还可以

wocaishidac · 发表于 2012-8-27 20:26:29

才30nA的电流，多做备选方案，从已有的经验来看(参与过单片800nA功耗的产品设计)，fail的概率很大。这里的fail倒不是指funciton fail，而是实际功耗会和你仿真结果偏差很大。

foxzciori · 发表于 2012-8-28 11:53:56

ls说的很对。很多foundry提供的SPICE model在低于100nA的情况下仿真就很不精确了，如果可以的话最好还是先走一次MPW。

kwankwaner · 发表于 2012-8-28 13:45:33

回复 1# nashmvp

真心看工艺model了，可以看他sub域的model怎么写的，或者问其工程师
在tsmc量产多次，无问题

nashmvp · 发表于 2012-8-28 15:12:27

回复 nashmvp

真心看工艺model了，可以看他sub域的model怎么写的，或者问其工程师
在tsmc量 ...
kwankwaner 发表于 2012-8-28 13:45

登录/注册后可看大图

T的工艺还是很有保障的啊。

nashmvp · 发表于 2012-8-28 15:18:52

回复 6# wocaishidac

功耗会偏很大啊，那也就意味着电流偏差可能会很大了，如果电流太大了伪电流源岂不是要到线性区了，如果电流偏小了就关断了。不会放大器最终无法正常工作了吧。如果做低功耗的预放大除了用小电流外还有什么办法吗？

[求助] 关于低功耗设计运放输入管进入亚阈值区的问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

浏览过的版块

站长推荐 /1