什么叫做阱偏效应，如何解释？

le_levi · 发表于 2012-7-18 10:49:54

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很想知道什么叫做阱偏效应，也即是WPE（well proximity effect），如何解释？曾经在40nm的TSMC工艺中遇到这个问题，一直不明白这究竟是怎么回事？
请大家给予解释，讲解一下原理，谢谢！
除此还有LOD（length of the OD region），OSE（OD space effect），PSE（poly space effect）等解释及原理。

allen_tang · 发表于 2012-7-18 12:55:44

搜一下飞思卡尔那篇关于WPE的解释，主要是离子注入透过光刻胶散射的问题。

chaojixin · 发表于 2012-7-19 11:07:26

注入一般是斜射的，因为晶格的关系。然后如果D或S的W或L太小，G的左边和右边会不对称，大概是这个意思

apple001 · 发表于 2012-7-27 16:58:47

还是没有人来解释，偶也不知道呀！那工艺接触不到，不了解！看后续有没有大牛来解决！

dinggo · 发表于 2012-7-30 17:46:09

LOD：搜索论坛会给你解释，已经很清楚了
还有，这些效应，工艺文档上会给出比较详细的解释；
如果还不懂，可以写出来，别人才好给你解释~~~

wenjian07 · 发表于 2012-7-31 16:15:16

wpe：在做阱时，阱掺杂离子在阱的边缘区域发生衍射（离子和光刻的二氧化硅边缘发生衍射），会有少量离子注入边缘的阱中，导致边缘的管子和里面的管子背栅掺杂不等，引起失配，解决方法阱边缘离有效的管子远一点，可以将dummy管子的长度做的大一点，还可以减小 sti效应

abc91978 · 发表于 2012-8-1 10:48:54

复杂呀

285211779 · 发表于 2012-8-4 12:05:55

主要是与工艺有关

林夕种 · 发表于 2012-8-4 18:33:02

回复 6# wenjian07 这个说的很清楚，我都能看懂了，谢谢啦

le_levi · 发表于 2012-8-6 09:39:55

6楼讲的不错，和我印象中的一样，只是那时不知道怎么回事，不晓得为什么。谢谢帮助

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