求教pmos电容可否放在psub里，nmos电容可否放在nsub中

ptadx · 发表于 2011-9-19 22:04:14

谢谢，大家的意见，学习中。

hujiangtao007 · 发表于 2011-9-20 14:11:30

个人建议楼主需要补充一些半导体基本知识，可以看一些书籍（比如半导体物理）。

ygyg100 · 发表于 2011-9-26 20:28:48

楼主的本意应该是想问：poly和P+连接的psub能不能构成电容（psub做下极板，通过P+连接）？poly和N+连接的N阱能不能构成电容（n阱做下极板，通过N+连接）？
正好最近我也在想这个问题。
poly和N阱构成电容当然是可以的，但是poly的电位必须高于N阱（大约大于PMOS的开启电压），这样在poly下方N阱表面会形成电子堆积层作为实际上的下极板，电容的介质层就是栅氧化层。如果poly的电位低于N阱，N阱表面会形成空穴反型层，这样实际的下极板就会变成反型层与N阱形成的耗尽区的下方的N阱，也即电容的介质层变成了栅氧化层+反型层+耗尽区，这样导致单位面积电容会小很多，所以虽然也是个电容结构，但是你不会这样做，因为面积效率变低了。
poly和psub形成的电容同理，如果你在应用的时候poly电位低于psub，那么就可以使用这样的电容，但是psub一般始终是接地的，所以不会有这样的用法。

ptadx · 发表于 2011-9-26 22:27:01

13楼，正解啊，我正是想问这个。太好了。赞同。

ptadx · 发表于 2011-9-26 22:49:38

那有没有资料说明这种机构的电容的面积效率和普通做法谁高啊？？普通MOS电容容值大概是在怎样的范围类变化的啊？？

mikoyan · 发表于 2011-9-27 13:33:56

本帖最后由 mikoyan 于 2011-9-27 13:57 编辑

影响电容CV Curve的只有Poly type(N+ or P+), 以及Sub type (PWell or Nwell)
只是Foundry厂, 比方TSMC自己取了一个名字 : MNOS in Nwell.
其实这是指N+Poly/Nwell, 有异于一般高阶制程PMOS是P+poly/Nwell (依不同制程而异), 所以它们的CV Curve是不同的(有shift), 这个新组件, 一般叫做Varactor.

而通常状况是, 制程即使做的到这些, 先不管有无LVS/DRC问题, 没有Foundry厂提供的spice model, 你也很难使用这些特殊的原件.
如果你只是要poly和N+连接的N阱构成电容（n阱做下极板，通过N+连接）,
而这个poly是如同PMOS的P+poly, 其实这个电容和直接拿PMOSFET当电容是差不多的. 并不像上述Varactor有CV Curve Shift的效果(所以可用在特殊偏压的地方).

而P+poly/Nwell电容,有无P+ Source/Drain在accumulation region的电容值是一样的,
差别只在CV Curve另一测(这里gate往负偏压去), 看讯号的高低频会不会造成deep-depletion. 也就是PMOSFET CV Curve一定是V形. 但是, P+poly/Nwell(没有N+Source/Drain)的CV Curve有高低频两条Curve.

所以如果你的gate voltage=0, Nsub voltage=VCC, 这是在depletion/inversion region, 电容值顶多和原来的一样, 甚至可能因为高频造成的deep-depetion而有超低的电容值.

ptadx · 发表于 2011-9-27 21:14:30

谢谢先！！还在学习中

dajiaolv · 发表于 2012-6-12 15:17:21

这是个伪命题，当nmos电容放在Nsub中时，形成的电容确实受电压影响很小，但此时的电容就不叫nmos电容了，因为无法形成nmos晶体管，一般叫Nwell电容（NWC），这也是应用比较普遍的一种电容结构。

yingzi1930 · 发表于 2012-6-12 22:25:14

可以的，只不过阈值电压不同罢了，成了耗尽型的管子了模拟版图的艺术第一章的阈值电压那一节有很详细的讲到

843071455 · 发表于 2012-6-13 12:49:22

回复 19# yingzi1930

你应该看看书啊，耗尽型的管子不是这样做的

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