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[求助] 求教pmos电容可否放在psub里,nmos电容可否放在nsub中

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发表于 2011-9-13 21:29:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求教pmos电容可否放在psub里,nmos电容可否放在nsub中。请前辈多多指教。
 楼主| 发表于 2011-9-14 19:43:22 | 显示全部楼层
求教啊,谁指点一下啊。
发表于 2011-9-15 08:39:04 | 显示全部楼层
[i=s] 本帖最后由 cxl666 于 2011-9-17 22:23 编辑 [/i]

不能,涉及离子注入问题。这样说吧,首先你要搞清楚mos工艺制造过程以及mos电容的原理,pmos的p+首先肯定是在NW中注入,那么请问你说的psub又如何在NW中制造呢,你所说的顶多是在nw外围生成psub,那样你描述的问题又失去了意义;反之,nmos同理。mos电容恰恰是利用注入的离子和栅上的电压构成可以电容,当然是在一定范围内和正确的接法,超出这个范围他就不是电容了。我想你原本的想法应该是pmos所在的NW中不放nsub,nmos所在的PW中不放psub,如果你不拿它做mos是可以的,顶多就是NW无高电位,是个floating nw,除了DRC上的错误,应该是没什么问题的。搞清这个你也就不会这样问了,因为首先你的描述就错误了。另外关于cmos的衬底作用希望你最好要弄清楚他们的来龙去脉,它不是个摆设,是四端器件重要的构成,在mos正常工作当中所起的作用。小小拙见,仅供参考。
 楼主| 发表于 2011-9-15 19:59:29 | 显示全部楼层
涉及到什么离子注入问题啊,我觉得那样就直接形成固定的电容值了啊,容值就不在受栅电压影响啊。求指教
发表于 2011-9-15 22:05:53 | 显示全部楼层
你都都说了是Pmos电容了~那pmos可以做在Psub上吗?nmos同理!
发表于 2011-9-16 10:03:22 | 显示全部楼层
pmos不知道,但nmos是可以做在nsub里的
发表于 2011-9-16 20:14:34 | 显示全部楼层
我觉得可以呀……
发表于 2011-9-17 10:15:10 | 显示全部楼层
PMOS电容、NMOS电容终究还是由MOS构成的吧,怎么能做在同种类型的衬底上呢。
个人拙见,欢迎指点~
发表于 2011-9-19 11:02:25 | 显示全部楼层
mos cap , 當 Vgs > vth 會有電容, 但當 vgs < vth 時 ?
還有 週邊 一些 parastic cap .. 只是會小很多 ..

今天 你要 nmos 在 nsub 用意為何 ??
如只要 和 vth 無關 那使用 pip  or mim(需多 mask 把 metal -> metal 間弄薄)
但也有人 直接拿 metal - metal 當cap 但 電容很低 , 因位一般 mim  or pip 不耐高壓 30v~40v
发表于 2011-9-19 14:32:26 | 显示全部楼层
个人觉得 这个问题 真的没必要讨论。。。。
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