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 发表于 2011-9-15 08:39:04
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| [i=s] 本帖最后由 cxl666 于 2011-9-17 22:23 编辑 [/i] 
 不能,涉及离子注入问题。这样说吧,首先你要搞清楚mos工艺制造过程以及mos电容的原理,pmos的p+首先肯定是在NW中注入,那么请问你说的psub又如何在NW中制造呢,你所说的顶多是在nw外围生成psub,那样你描述的问题又失去了意义;反之,nmos同理。mos电容恰恰是利用注入的离子和栅上的电压构成可以电容,当然是在一定范围内和正确的接法,超出这个范围他就不是电容了。我想你原本的想法应该是pmos所在的NW中不放nsub,nmos所在的PW中不放psub,如果你不拿它做mos是可以的,顶多就是NW无高电位,是个floating nw,除了DRC上的错误,应该是没什么问题的。搞清这个你也就不会这样问了,因为首先你的描述就错误了。另外关于cmos的衬底作用希望你最好要弄清楚他们的来龙去脉,它不是个摆设,是四端器件重要的构成,在mos正常工作当中所起的作用。小小拙见,仅供参考。
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