关于SOI工艺的几个疑问，求解答~

terry8876 · 发表于 2012-5-23 10:20:33

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有用过SOI工艺的朋友么，请教几个问题。

1、SOI工艺的高低压管怎么区分的？

2、低压管能否只连出三端（G、D、S）而不接衬底电位？（因为它本就是被物理隔开的，有无衬底电位都无所谓）

3、高压管应该都有自己的独立岛电位，那具有相同岛电位的高压管能否共用一个岛？

4、我从一张SOI工艺的芯片图上看到两个管子共用一端，但这一公共端从染色层看被分成了三段，再从M1层看上下两端短在一起连出去，中间一段单独连出去，这是怎么回事？我的猜测是上下两端是源，中间是衬底，两边的两端是各自的漏，不知正确否？

5、是否所有工艺的N阱染色染出来都是偏亮的，而P阱染出来是偏暗的？反向时若没有明显的衬底接VDD或GND，P型N型管子感觉有时不好区分得。

xxelement · 发表于 2012-5-25 11:37:31

我现在也在做SOI,求几张照片欣赏一下

terry8876 · 发表于 2012-5-28 21:43:52

回复 2# xxelement

这个。。。弄不出来。

xxelement · 发表于 2012-5-31 14:48:30

回复 3# terry8876
你们是什么工艺的 IBM？

scu_lin · 发表于 2012-11-22 10:43:15

关注该帖，求更新啊

sunyu0202 · 发表于 2013-6-29 15:01:12

不知道是不是我需要的

tuohong · 发表于 2013-7-1 21:50:29

1、看你是啥高压、怎么个耐高压法。要是1.8v、3.3v这类的，类似于dual gate这类的层次就可以了。涉及到源漏端的，要有相对的高压结构。这些都是跟普通工艺类似的。
2、不能。衬偏效应依然存在。
3、design rule没说不行就可以。
以上是我蒙的。
4、5不知道。

mmzlv · 发表于 2013-7-4 13:49:48

衬底浮空，你的mos管怎么工作？不是有没有衬偏效应的问题，

tuohong · 发表于 2013-7-5 13:03:51

嗯，写的时候有点儿短路了，感谢楼上纠正。

allen_tang · 发表于 2013-7-5 15:56:21

呃，反向吗？看4、5是要猜测layer吧？

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